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下一代 FPGA 有望实现突破性优势 　　大量的电信基础设施成指数增长的带宽需求以及各行业使用这些带宽的需求使得现有硬件和软件解决方案很难满足性能要求，也难以达到成本和功耗目标。AS I C、AS S P和独立处理器遇到了发展瓶颈，P L D公司很难解决固有的成本问题。而同时，大量最终应用对带宽的要求越来越高，要求P L D公司使用不同的工具和选择来满足各种需求。使用这些选择并且能够高效应用它们的P L D公司将为硬件和软件开发人员带来突破性优势，帮助他们开发下一代产品。 　　日益增长的带宽和灵活性需求促使功能实现突破 　　智能电话和其他便携式设备越来越多的功能是促使系统性能大幅度提高的原因所在，下一代F P GA将体现这些系统性能。移动带宽的爆炸式增长对无线、固网和数据中心体系结构功能产生了巨大的需求。智能电话数量呈（个位百分比）增长，而智能电话的功能越来越多，这些设备的用户不断要求提高带宽。这主要是高质量视频宽带需求。2 0 1 2年，智能电话数据平均使用量增长了8 1 %。思科预计到2 0 1 7年，移动流量每年会增长6 6 %，三分之二的移动流量是视频内容。此时，移动网络速度将会提高7倍，4 G网络承载了4 5 %的流量（ 1 ） （见图1 ）。 　　AS I C和AS S P应用面临越来越大的商业挑战 　　AS I C设计需要更长时间投放市场、很高的前端资金投入以及大批量产出才能实现回报等，这些因素使得AS I C的投入风险非常大，只有很少的公司会承担这种风险。对于2 8 n m AS I C，AS I C工具模板和封装的流片（ NRE ）成本、知识产权（ I P ）许可以及物理设计服务等成本很容易超过1千万美元，在很多情况下，2 0 n m或者 1 4 n m F P GA能够解决这些问题。相对于AS I C，虽然目前的F P GA需要严格的仿真验证方法，但是，与标准单元AS I C设计相比，实验室测试以及能够对F P GA重新编程等有效地降低了人工投入。F P GA组件价格虽然可能高于同样复杂的AS I C，但是应该考虑总体拥有成本。标准单元AS I C的收支平衡点在不断提高，前沿CMOS技术使得F P GA更复杂，性能更好，功耗更低，而这是AS I C难以实现的。 　　与F P GA和AS S P相比，低成本工艺节点会降低AS I C的优势，这是因为这些解决方案会把客户集中到更先进的工艺节点上，更具价格和性能竞争优势。目前的FP GA使用2 8 n m工艺，很快将采用2 0 n m以及更小的工艺技术。但是，大部分新AS I C设计要落后2？3个节点，甚至更多。差距越大，F P GA在价格、性能和集成度上就越具有吸引力。见图2。 　　硬件规划人员以前能够借助越来越高的处理器频率和越来越多的处理器内核来提高他们下一产品的系统性能。但是现在，由于处理器频率并没有随时间大幅度增长，而且通过增加处理器内核数量以实现并行工作无法解决性能瓶颈问题，因此，硬件规划人员不能再采用这一方法来提高性能。很多硬件规划人员的解决方案是开发专用硬件，以解决这些软件瓶颈。 　　开发处理器使用的专用增强I P有助于解决这些难题。但是，竞争公司也可以使用让AS S P优于前一代产品的硬件加速功能。此外，无法通过使用A S S P来解决某些特殊软件的瓶颈。 　　AS S P的关键优势在于产品快速面市，但并不总是如此。需要AS S P特殊功能的小公司无法获得他们最需要的型号或何时将产品投放市场。大公司也得依靠供应商为他们提供所需要的产品。但是，他们能得到这些型号产品，其他公司也能得到。F P GA是克服这些AS I C和AS S P固有问题的好方法，在今后的产品中甚至能进一步增强功能。 　　前沿工艺 　　半导体供应商投资于前沿工艺，他们的关键优势是拥有高级工艺技术。例如，新的3 - D晶体管技术，它也被称为三栅极或者F i n F E T晶体管技术，是工艺技术的新突破（见图3 ）。其晶体管泄漏降低了两倍，能提高性能或增强功率。 　　如果需要了解详细信息，请参考“F P GA采用三栅极技术，实现突破性优势”白皮书。 　　大部分工艺技术代工供应商还没有开发或者发售任何3 - D F i n F E T或者三栅极晶体管技术产品。在本文出版之际，I n t e l是唯一发售3 - D晶体管技术产品的制造商。2 0 1 3年年初，I n t e l已经发售了1亿多片产品。如果可编程解决方案公司能够迅速高效的采用这些产品，就能够大幅度提高性能。而且，客户需要提高产品性能不仅可以利用这一3 - D晶体管技术，而且会受益于今后越来越简单的工艺。最近发布的I n t e l 1 4 n m三栅极工艺提供了这一工艺技术。 　　事实是，没有一种