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蛋白质薄膜器件记忆特性研究-徐鹏-11【参考】.docx 23页

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本科毕业论文 题 目 蛋白质薄膜器件的记忆特性研究 专 业 物理学 作作者姓名 徐鹏 学 号 2012201510单 位 聊城大学 指导教师 董瑞新 教授 2016 年 5月原创性声明本人郑重声明:所提交的学位论文是本人在导师指导下,独立进行研究取得的成果。除文中已经引用的内容外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得聊城大学或其他教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均在文中以明确的方式表明。本人承担本声明的相应责任。 学位论文作者签名: 日期: 指 导 教 师 签 名: 日期: 目录 前言2第一章 绪论21.1 忆阻器物理模型及工作机制21.1.1 物理模型21.1.2 工作机制2第二章 实验部分22.1 实验仪器介绍22.1.1 Keithley 2400系统22.1.2 匀胶机旋涂技术22.1.3原子力显微镜22.1.4热蒸发沉积系统22.2 蛋白质薄膜器件的制备22.2.1 ITO衬底处理22.2.2 用匀胶机甩蛋白质薄膜22.2.3 Al电极的热蒸镀22.3 器件记忆测量与表征22.3.1 用 Keithley 2400测量器件记忆特性22.3.2 AFM对薄膜平整度的表征22.3.3 实验小结2第三章 总结与展望2参考文献2致谢2 摘要忆阻器是具有记忆效应的非线性电阻,被称为第四个基本电路元件,将其集成在电路中可以大幅度提高数据处理器的性能。自2008年惠普实验室成功构建出忆阻器的原型开始,国际上掀起了记忆电阻的研究热潮,不同材料和不同结构的器件的研究工作相继开展。有机忆阻器件因其工艺简单、成本低、存储密度高等优点受到了广大科研人员的关注。蛋白质作为生物大分子是构成生命的主要基元有望制备成为新型的有机忆阻器件。关键词:有机忆阻器;存储器;蛋白质AbstractThe memristor, known as the fourth basic circuit element, is a nonlinear resistor with memory effect. With memristor integrated in the circuit, the performance of data processor can be greatly improved. The memory resistor becomes a hot topic, since HP laboratory successfully constructed the memristor prototype in 2008. Different types of materials and the different device structures have been begun to study. Organic memory devices have attracted more attention of the researchers due to its distinctive advantages such as simple technology, low-cost and high density data storage. Key words:Organic memory device;storage memory;protein前言 在过去的几十年里,以硅材料为基础的集成电路元件尺寸显著减小。然而,当电路元件的尺寸降低到一定程度时,量子效应将会变得明显,从而影响电路的稳定性。自2008年惠普实验室制备出了基于Ti0、的忆阻元件以来,就有越来越多的科研人员不断地寻找能够表现出忆阻性能的材料。目前,基于无机材料的忆阻器件己得到了较快的发展,很多金属材料和金属氧化物材料等都具有忆阻特性。近年来,基于有机材料的忆阻器件研究也引起了各国科研人员的重视。第一章 绪论 1.1 忆阻器物理模型及工作机制 1.1.1 物理模型 1971年,从对称性的角度出发,蔡少堂教授首次预言提出了忆阻的概念,他指出,电子电路除了电容、电感和电阻以外,还应有第四个基本要素一忆阻。同时,他还给出了忆阻的定义,即是一种表现电荷和磁通量关系的非线性无源两端电气元件,并对其在电路中潜在的用途进行了阐述。 图 1.1 自 2008 年惠普实验室制备出了基于 Ti Ox的忆阻元件以来,就有越来越多的科研人员不断地寻找能够表现出忆阻性能的材料。目前,基于无机材料的忆阻器件已得到了较快的发展,很多金属材料和金属氧化物材料等都具有忆阻特性。近年来,基于有机材料的忆阻器件研究也引起了各国科研人员的重视。早在二十世纪七十年代,就有研究表明有机薄膜能够表现出忆

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