激光器腔面钝化和腔面光学.pptxVIP

半导体激光器腔面钝化和腔面光学膜的制备方法COD对半导体激光器带来的危害腔面解理时产生的缺陷腔面的表面态发生光学灾变的P-I曲线腔面薄的自然氧化层腔面制备钝化保护薄膜发生光学灾变的SEM图常用的几种半导体激光器腔面钝化方法钝化技术原理和处理方法主要材料优缺点腔面硫化处理技术腔面硫化处理技术是把半导体激光器解理的腔面与含硫的化合物进行反应，从而去除腔面表面原有的氧化层，生成一种稳定的硫化物层，并且抑制氧化物的进一步生成，减少表面态密度，降低表面复合速率，提高器件的输出功率和可靠性。（NH4）2S，Na2S等溶液能有效提高激光器的性能，稳定性差，只在短时间内有效。高真空解理镀膜技术在高真空环境下解理bar条，然后镀上钝化薄膜，再在腔面上镀制高透和减反薄膜一般选用ZnSe或Si、Ge、SiN、AlN等材料可以避免氧和杂质污染腔面，有利于获得高的输出功率和高的可靠性，但技术设备复杂，工艺难度高，价格昂贵。腔面附近引进非注入区技术腔面附近引入非注入区技术是在半导体激光器的腔面附近一定距离处（大约20%的谐振腔腔长）分别引入一电流非注入区，限制电流流入腔面，从而减少腔面附近载流子的浓度，降低表面复合电流，减少腔面处的非辐射复合，降低腔面产生的热量，从而提高激光输出功率和激光损伤阈值He、H、O等离子注入，或者制备SiO2等介质薄膜该技术和杂质注入诱导无序技术联合使用，达到实用化的要求非吸收窗口