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蓝宝石材料-吉林省专利信息服务网
蓝宝石材料
REC
申请号=C9
名称=人造蓝宝石表面内拱度磨削机床
申请(专利权)人=张元胜
发明(设计)人=张元胜
申请日=1998.05.28
地址=518034广东省深圳市商报路天健工业区8栋4楼悦目光学公司
摘要=本实用新型涉及石料或类似材料的磨削设备,尤
其是进行曲面磨削的设备。它由电机和传动件带动砂轮沿着与
主轴同轴的圆桶内侧既作往返直线运动又作转动;同时,圆桶
内粘贴被磨削物(如人造蓝宝石表面),使砂轮在运动时对其内
拱面产生磨削。该设备对砂轮的弧度不需作严格限定,其加工
精度不受砂轮弧度的限制,而由测量精度决定,可达到
0.05mm;亦无需频繁更换砂轮,还可实现一次多片加工。
REC
申请号=C8
名称=人造蓝宝石气体放电器件的封装端
申请(专利权)人=卢义生
发明(设计)人=卢义生;俞鹤庆
申请日=1989.05.09
地址=江苏省南京市五所村310-2-710室
摘要=本发明提出的是一种气体放电器件采用人造蓝
宝石管、塞、环的封装结构——人造蓝宝石气体放电
器件的封装端。管、塞、环系采用同一晶向(C轴)生
长的人造蓝宝石材料,它可有效地提高放电器件的寿
命和性能。实现人造蓝宝石气体放电器件的研究进
入广泛应用的实用阶段。它可用于各系列的高压金
属蒸气放电灯和普通高压钠灯和高显色性高压钠灯
以及钾铷激光光泵等。
REC
申请号=CN200510003405.1
名称=蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜
申请(专利权)人=深圳大学;
发明(设计)人=彭冬生;冯玉春;牛憨笨;王文欣
申请日=2005.12.29
地址=518060广东省深圳市南山区南海大道2336号
摘要=一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术,该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底,以形成一定图案的蓝宝石衬底1,提供横向外延基底,缓冲层2为低温GaN薄膜,3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石衬底1处外延生长,形成一定的籽晶,在籽晶处外延生长的同时,改变外延生长工艺条件,使其横向外延,以使两翼在腐蚀坑处翼合,形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3,这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。这种横向外延技术不仅可以降低位错密度,而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。
REC
申请号=C1
名称=将掺杂的多晶材料转化成单晶材料
申请(专利权)人=通用电气公司
发明(设计)人=柯蒂斯·E·斯科特;玛丽·S·卡利赛夫斯基;莱昂内尔·M·莱维森
申请日=1995.02.14
地址=美国纽约州
摘要=将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法,用能提
高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料,在选定温度下加
热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择
温度低于多晶材料的熔化温度,但高于该材料熔化温
度的一半。所述掺杂剂的实例包括+3价阳离子如
铬、镓和钛。多晶体还可以被不均匀地掺杂,以形成
掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的
第二部分,以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成
单晶结构,而第二部分仍保持多晶结构。
REC
申请号=CN200610088287.3
名称=铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用
申请(专利权)人=南京大学
发明(设计)人=谢自力;张荣;刘斌;韩平;修向前;文博;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群
申请日=2006.07.07
地址=210093江苏省南京市汉口路22号
摘要=高结晶铟镓氮单晶外延膜,在蓝宝石衬底先设有
GaN缓冲层,且为20-200nm的低温GaN缓冲层;然后生长
厚度可达到1-80μm的高结晶的
InSUBx/SUBGaSUB1-
x/SUB (0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的
生长方法,在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓
冲层,在500-700℃温度范围生长厚度在20-200nm的低温
GaN缓冲层;然后利用MOCVD生长高结晶的
InSUBx/SUBGaSUB1-
x/SUBN材料;接着在GaN缓冲层上以500-1050
℃生长高质量
InSUBx/SUBGaSUB1-
x/SUBN材料;生长压力在0-700Torr,尤其控制在
300-700Torr;其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电
池采用材料
InSUB0..3/SUBGaSUB0.7/CNI
PR:SUBN薄膜,电极采用MSM结构。
REC
申请号=CX
名称=包含透镜的手表面玻璃及该透镜的制造方法
申请(专利权)人=科马杜尔公司
发明(设计)人=G·德拉布雷
申请日=1999.04.0
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