模拟电子技术第1章-第3章概念.ppt

? 特点 a. 自由电子为多数载流子（多子） 空穴为少数载流子 （少子）； b. 磷原子被称为施主杂质，本身因失去电子而成为正离子。 ? N型半导体可简化成 + 图2－3 2. P型半导体 ? 形成 本征掺杂： 本征半导体 得到大量空穴（无电子） 硼 +4 +4 +4 +3 图2－ 4 硼原子 空穴 本征激发：得到少量电子空穴对 ? 特点 a. 空穴为多数载流子 （多子） 自由电子为少数载流子（少子）； b. 硼原子被称为受主杂质，本身因获得电子而成为负离子。 ? P型半导体可简化成 － 图2－5 §3.2 PN结的形成 一、PN结的形成 用化学方法把N型半导体和P型半导体结合在一起。 图2－6 – – – – – – – – – P型 + + + + + + + + + N型 ? 浓度差别 多子扩散 空间电荷区 ? 当扩散和漂移达到动平衡，即形成PN结。 内电场 ? 内电场 少子漂移 + + + + + + + + + – – – – – – – – – + + + – – – P型区 N型区 空间 电荷区 图2－7 内电场V0 二、PN结的符号 把PN结封壳，引线即成二极管。 其符号和PN结相同。 阳极 阴极 一、二极管（PN结）的单向导电性 1. 正偏: P ? + ，N ? ? ? PN结变窄（由11?到22?） ? PN结正向电阻很小。 ? 内电场变小（ 由V0变到V0 ? VF ） ? 形成扩散电流即正向电流 IF ； ? VF?， IF? ?； 利于扩散 1? 2 1 2? 2 1 2? 1? P N VF IF 图3－8 §3.3 半导体二极管 2. 反偏 P ? ? ，N ? + ? PN结变宽（由11?到22?） ? PN结反向电阻很大。 ? 内电场变大（由V0变到V0 + VF ） ? 形成漂移电流即反向（饱和）电流 IS ； ? VR?， IS 不变； 利于漂移 2? 1 2 1? 1 2 1? 2? P N VR IF 图3－9 IR(或IS ) 总结：二极管(PN结)正向电阻小，反向电阻大， 这就是它的单向导电性。 二、二极管的伏安特性 I = f (V) ? 正向死区 死区电压：硅0.5V 锗0.1V 图3－10 O V(V) IS IF I(mA) + – I V ? 正向导通区 IS ：反向饱和电流 VT ：温度的电压当量 T =300K时， VT =26mV b. 当 V VT I 和V成指数关系 ? 反向截止区 I = ?IS ? 反向击穿区 反向电流急剧增加, 管子被击穿。 反向电压×反向电流 PN结允许的耗散功率称为电击穿，电击穿是可逆的，如稳压管。 反向电压×反向电流 PN结允许的耗散功率称为热击穿。热击穿管子损坏，是不可逆的。 三、二极管的直流参数 1. 最大整流电流 IF： 管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流； 2. 反向击穿电压 VBR： 管子反向击穿时的电压值 一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 当PN结处于正向偏置时，扩散运动使多数载流子穿过PN结，在对方区域PN结附近有高于正常情况时的电荷累积。存储电荷量的大小，取决于PN结上所加正向电压值的大小。离结越远，由于空穴与电子的复合，浓度将随之减小。 若外加正向电压有一增量?V，则相应的空穴（电子）扩散运动在结的附近产生一电荷增量?Q，二者之比?Q/?V为扩散电容CD。 3 结电容 (2) 势垒电容CB end §3.4 二极管基本电路及其分析方法 一、二极管正向伏安特性的模型 1. 理想模型 iD (b) + – vD 正偏时，管子导通正向压降为0； 反偏时，管子截止，电流为0； 虚线为实际的伏安特性。 vD O iD (a) 图3－11 2. 恒压降模型 vD 0 iD (a) iD (b) 图3－12 + – vD 导通时，正向压降为0.7V(硅) 否则，电流为0。 要求iD?1mA 3. 折线模型 vD O iD (a) iD (b) + – vD Vth 图3－13 ?Vth为二极管的死区电压(门坎电压)，硅约0.5V. ? rD的确定。 当iD =1mA，管压降为0.7V。 rD Vth rD 1mA 0.7V + – 0.7 = Vth +1·rD rD = 0.2K rD、 Vth不是固定不变的。 4. 小信号模型 ? 二极管的微变电阻rd的定义： 二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应的电流变化量之比 图3－14 vD O Q VD ?vD ?iD ID iD 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. 等