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PLASMA 什麼是電漿(plasma) 藉由外加的電場能量來促使氣體內的電子獲得能量並加速撞擊不帶電的中性粒子，由於不帶電中性粒子受加速電子的撞擊後會產生離子與另一帶能量的加速電子，這些被釋出的電子，在經由電場加速與其他中性粒子碰撞。如此反覆不斷，進而使氣體產生崩潰效應(gas breakdown)，形成電漿狀態。 電漿的形成有點類似於原子彈爆炸機理. Sputter就是利用電漿原理來實現濺鍍的! 電漿性質 1.整體來說，電漿的內部是呈電中性的狀態，也就是帶負電粒子的密度與帶正電粒子的密度是相同的。 2.電漿是由一群帶電粒子所組成，所以當有一部分受到外力作用時，遠處部份的電漿，乃至整群的電漿粒子都會受到影響，這叫做「電漿的群體效應」。 3.具有良好的導電性和導熱性。 物理成膜(EVA VS SPUTTER) 成镆等效形式(EVA VS SPUTTER) 濺鍍(Sputter)原理 1. Ar 氣體原子的解離 Ar ? Ar+ ＋ e－ 電子被加速至陽極，途中產生新的解離。 e－ 撞擊中性Ar原子形成Ar+ 和e－ 此過程不斷發生,也就是電漿的形成 3. Ar 離子被加速至陰極撞擊靶材，靶材粒子及二次電子被擊出，前者到達基板表面進行薄膜成長，而後者被加速至陽極途中促成更多的解離。 濺鍍(Sputter)工作要點 薄膜生成(Thin Film Deposition) 對於我們來說,不管是蒸鍍還是賤鍍,都很簡單,就是給晶片鍍上一層鎳/金或者鎳/銀,使我們的晶片經過適當的加工通電後能夠起振,並輸出規格頻率,滿足客戶要求. 而現在我們廠內有兩種鍍鏌原理的機器 a)蒸鍍機台,也就是老式的機台. b)SPH-2500,也就是濺鍍-sputtering機台此兩種機台的鍍鏌機理是完全不一樣的兩種,但是目的是一樣的. 物理氣相沈積--PVD（Physical Vapor Deposition） PVD顧名思義是以物理机理來進行薄膜堆積而不涉及化學反應的製程技術，所謂物理機理工科是物質的”轉移”現象 蒸鍍(Evaporation) 濺鍍(Sputtering) 最常見的物理成膜製程 蒸鍍(Evaporation) 濺鍍(Sputter)  Showa SPH-2500 濺鍍製程技術的特點 成長速度快 大面積且均勻度高 附著性佳可改變薄膜應力 金屬或絕緣材料均可鍍製 適合鍍製合金材料 各種PVD法的比較 蒸鍍濺鍍物理氣相沈積法之比較 蒸鍍與濺鍍製程產能與成本比較(以惠明為例) 濺鍍有效面積蒸鍍有效面積 一般濺鍍產能: 40分鐘50pcs 一般蒸鍍產能:30分鐘一爐,可放10pcs治具 表面的形核過程 * * 物質的第四態=等離子體=電漿 蒸鍍(EVA) 濺鍍(sputter) 1 噴塗 Substrate 材料l 2 電鍍 基質,底物(被鍍物) 材料,原料 陽極 陰極 3 蒸鍍 材料 被鍍材料 加热 真空罩 材料蒸汽 4 溅镀 材料 被鍍材料 Plasma=等離子體 陽極 陰極 真空泵浦 抽真空 1 靶材形成負電壓 3 兗氬氣 2 離子沖擊靶材並把靶材 原子從靶材中打飛出來 6 靶材原子打到被鍍材料上形成 一層金屬溥漠也就是我們所說的電極 7 靶材=陰極 被鍍材料=陽極 Energy 離子在電漿中移動 5 Gas Plasma 氬氣被電離成電漿 4 1 蒸鍍 蒸鍍材料 被鍍材料 加热 真空罩 材料蒸汽 2 溅鍍 濺鍍材料 被鍍材料 Plasma=等離子體 蒸鍍材料 被鍍材料 加热 真空罩 蒸鍍蒸汽 0.50~833 0.17~16.7 1.67~1250 蒸鍍速率10-9m/sec 可，或無 通常無 可 加熱（外加熱） 可 可 通常無 表面與層間的混合 可 可，或依形狀不可 通常不可以 惰性氣體離子衝擊 可提高1~100Ev 可提高1~100eV 很低0.1~0.5eV 粒子能量 可 可 可 蒸鍍耐熱化合物 可 可 可 蒸鍍合金 可 可 可 蒸鍍金屬 佳 優 佳 平面 良好，但膜厚分佈不均 良好 佳 複雜形狀 蒸鍍均勻性 原子、離子 原子、離子 原子、離子 粒子 可提高 快 可提高 膜生成速率 熱能 動能 熱能 粒子生成機構 離子蒸鍍 濺射蒸鍍 真空蒸鍍 PVD蒸鍍法 佳 多 佳 佳 佳 濺鍍 (Sputter) 佳 多 佳 可 慢 蒸鍍 (Evaporation) 方法 整體製造成本 可沈積材料之選用 精確成份控制 大尺寸厚度控制 沈積速率 性質 *