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微电子学概论第九课 光电器件小论文参考文献格式 在正文中出现引用参考文献内容的地方注上上角标[1]，用中括号括起来，若是有多篇文献在同一处出现，括号中可以用逗号[2,3,4]，或者连号分开不同文献[5-10]。所引用的文献在正文最后应当列出，按照序号、作者、文献题目、文献的出处刊物（或者会议、链接、出版物等）的名称、卷、册、页码、年份的顺序标明。作者为多人时，可以只列出前三位，其他的作者以“等”或者“et al.”指代，每一项之间用逗号隔开。各个学科的参考文献引用格式不尽相同，请注意分别，以上格式在微电子学论文中颇为常见。[1] 张兴,黄如, 刘晓彦，“微电子学概论”，北京大学出版社，第三版，第32页，2010年[2] Yuan taur, Tak H. Ning, “Fundamentals of Modern VLSI Devices”, Cambridge university press, p.203, 2012[3] C. Auth, C. Allen, A. Blattner, et al., “A 22nm High Performance and Low-Power CMOS Technology Featuring Fully-Depleted Tri-Gate Transistors, Self-Aligned Contacts and High Density MIM Capacitors”, VLSI Symposia on Technology, p.131, 2012提纲光电子学简介发光二极管(Light-emitting diode,LED)半导体激光器(Semiconductor laser)光探测器(Photodetector)电荷耦合传感器(Charge Coupled Device,CCD)太阳能电池(Solar Cell)光电子学简介光电子学是什么？Optoelectronics = optics + electronics光电子学 = 光+电子学光子电子相互转换光的吸收和辐射hν12E2-E1E2E2hν12Absorption（吸收）E1E1E2E2hν12Spontaneous emission自发辐射τ : 10-9 to10-3sE1E1Hν12 (相位相同)E2E2hν12Stimulated emission受激辐射τ : immediatelyhν12E1E1固体中的光吸收过程(c)自由载流子h?激子库伦作用杂质能级(a)(b)(d)晶格振动(e)(a)本征吸收, (b) 激子吸收, (c)载流子吸收, (d)杂质吸收, (e) 晶格吸收光吸收的种类本征吸收价带电子吸收光子后，跃迁到导带形成自由电子激子吸收电子被光子激发到导带以后，和价带上的空穴仍然通过库仑力作用形成一个束缚的电子-空穴对，称为激子。与激子产生相关的光吸收称为激子吸收。自由载流子吸收光子被导带或者价带内的自由电子和空穴吸收，形成高能量的电子和空穴晶格吸收被晶格原子吸收，形成更高频率的振动杂质吸收电子吸收光子，被激发到禁带中的杂质能级上固体中的光辐射过程带内复合f间接复合bca激子复合杂质对复合ed带间复合f激子复合在固体发光器件中为最主要的发光方式!?辐射效率（内量子效率）ηr=光辐射的种类光致发光光吸收导致的电子-空穴对发生复合产生辐射.阴极射线发光电子束轰击荧光材料产生发光.放射线发光高能α,β 或者 X 射线轰击荧光材料产生发光.电致发光通过电注入形成非平衡载流子以后发生复合发光.发光二极管LED的构成LED的构成包括：支架；晶片；银胶；金线；环氧树脂发光原理电注入过剩载流子，发生自发复合引起自发辐射，辐射的光波长和材料的禁带宽度有关。注入方式: PN结正向偏置npV0外量子效率GaP发光二极管的外量子效率与掺杂和结深的关系实际发射出的光子数占产生的总光子数的比例。内部吸收；发射损耗；临界角损耗等LED材料的要求合适的禁带宽度 hν12=Ec-Ev=Eg可见光波长: 380~780nm (对应 1.63eV Eg)可以形成高导电率的N和P型半导体良好的晶体质量，极少的晶格缺陷 很高的复合率LED常见光谱白光LED是怎样制作的？采用蓝光LED，外表面覆盖淡黄色荧光粉，将蓝光转换为黄光，黄光+蓝光便可得到近似白光AlGaAs-红色及红外线AlGaP-绿色AlGaInP-高亮度的橘红色，橙色，黄色，绿色GaAsP-红色，橘红色，黄色GaP-红色，黄色，绿色GaN-绿色，翠绿色，蓝色InGaN-近紫外线，蓝绿色，蓝色Si-蓝色Al2O3-蓝色ZnSe-蓝色C-紫外线AlN,AlGaN-波长为远至近的紫外线LED色彩染料的秘密能量等电子陷阱动量黄光绿光带间跃迁通常几率不高掺入不同杂质能够获得不同的等电子缺陷