LED技术发展和应用状况调查素材.doc

课 程 论 文 LED技术发展和应用状况调查 陆宇威 学号： 201230800315 班级： 12级 3 班 专业： 光信息科学与技术 华南农业大学理学院应用物理系 LED技术发展和应用状况调查 ：ED亦已诞生，并正在以极快的速度走向应用。这些情况都表明，LED产业的发展已经进入到了成熟期。虽然以LED 为核心的科研、生产、应用已经具备了相当的规模，但LED 的低功耗、长寿命、高可靠、抗冲击、快响应等诸多优点仍会进一步推动LED产业的发展。本文就发展历史现状及展望和应用简要概括。 关键词：状况 1 半导体LED的工作原理 LED（light emitting diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它是由Ⅲ-Ⅳ 族化合物，如GaAs，GaP，GaAsP等半导体制成，其核心是PN 结，因此它具有一般PN 结的I-V 特性。特别是，它可以直接把电转化为光，具有发光特性。LED是典型的工作在正向偏置条件下的PN 结器件。由直接带隙半导体组成的P-p-N 双异质结在正向偏置电压下，高浓度电子和空穴从N 型和P型Al-Ga-As层注入到p型GaAs有源区。当有源区厚度小于载流子扩散长度时（有源区厚度为0.5 ~ 2.0μm），由于电中性条件要求，注入到导带的电子和注入价带的空穴是相等的，且均匀分布在有源区中。在电注入激励条件下，有源区内的电子和空穴产生辐射复合（发射光子）和非辐射复合（不发射光子）。 2 LED的技术发展过程 2.1 材料的发展——波长的扩展 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240 /Eg（mm）。式中: Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（ λ在380~780 nm），半导体材料的Eg 应在3.6~1.63eV 之间。光的波长是由形成PN 结的材料决定的，而波长决定光的颜色（红640~750 nm,橙600~640 nm，黄550~600 nm，绿480~550 nm,蓝450~480 nm，紫400~450 nm）。 1962年，美国用GaAsP材料成功开发出全球第一颗LED（红色）。在其后40多年中，LED 经历了GaP（550 nm绿色）、GaAsP（650 nm红色、橙色和黄色）、GaAlAs（680 nm红光）和InGaAlP（590~ 620nm黄—橙黄）等多种材料的形式，但发光颜色长期局限于红色和黄绿色。1993年，日亚公司的研究人员Nakamora首次成功地研制出氮化物LED，实现了蓝色半导体发光，进而于1996年实现了白光LED。就光色而言，到2003年时，LED 光源几乎完全涵盖了位于CIE（国际照明委员会）色度曲线内部的饱和颜色，LED 与荧光组合可以产生任何一种颜色。 2.2 白光LED的实现 GaN基蓝光LED、荧光粉一般白光LED的生产技术包括采用RGB三色晶粒、蓝光LED+ 黄色荧光粉、蓝光LED+绿、红两色荧光粉、UV LED+ RGB 三色荧光粉，以及采用ZnSe材料以发出白光等五大技术。其中，蓝光LED 加上黄色荧光粉产生白光是目前所有技术中最易实现的,具有成本低、寿命长、亮度及可靠度高等优势。氮化镓基（GaN）材料是目前世界最先进的半导体材料，具有内、外量子效率高等特性，可制成高效蓝、绿光发光二极管LED，并可延伸到白光LED，将替代人类沿用至今的照明系统。各种增加白光LED 发光光谱连续性的方案被提出来提高其显色指数；选用小粒径的荧光粉可以显著提高产品的光色均匀性（在色8 000 K时，可提高50% 以上）；采取荧光粉保形涂覆技术（conforma lly coating），可将出光均匀性提高10倍；使用纳米量子阱作为有源层的有机/无机LED，能获得一个具有高纯度饱和度且色彩可调的窄带宽。 2.3 结构的发展——发光效率的提升 1991年以来，材料技术与芯片规格和形状的组合，使提供的流明通量大幅提高。基于匹配衬底所做的低缺陷密度的LED可获得最佳的发光性能，如SiC上所做的器件具有更小的位错密度，基于该衬底的各色光LED的性能优于在蓝宝石衬底上依靠侧向生长来减小位错密度的LED性能；增大芯片面积也能提高发光效率；结构化芯片形状的设计由最初普遍采用的低出光率的台面结构（长方形）发展为倒金字塔形（化学刻蚀）以及六棱锥形，采用这些新颖的结构可以从芯片中提取更多的光。随着发光材料的开发和半导体制作工艺的改进，在芯片生长过程中引入了MOCVD外延生长技术、分布式布拉格反射（DBR）的结构、光学微腔（RC）以及量子阱结构（QW）、功率型LED的多量子阱结构（MQW）等，使得半导体照明用的发光二极管发光效率不断提