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1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体的特性 自然界的各种物质，根据其导电能力的差别，可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。 [下一页] 半导体的特性 硅原子的序数是14、原子核外有14个电子，最外层有4个电子，称为价电子，带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体，称为惯性核。惯性核带有4个单位正电荷，最外层有4个价电子带有4个单位负电荷，因此，整个原子为电中性。 [下一页] 1.1.2 本征半导体 在本征半导体的晶体结构中，每一个原子与相邻的四个原子结合。每一个原子的价电子与另一个原子的一个价电子组成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的，它们把相邻原子结合在一起，构成所谓共价键的结构。 一般来说，共价键中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子，这种物理现象称作为本征激发，价电子受激发挣脱原子核的束缚成为自由电子的同时，在共价键中便留下了一个空位子，称“空穴”。如图所示。 当空穴出现时，相邻原子的价电子比较容易离开它所在的共价键而填补到这个空穴中来，使该价电子原来所在共价键中出现一个新的空穴，这个空穴又可能被相邻原子的价电子填补，再出现新的空穴。价电子填补空穴的这种运动无论在形式上还是效果上都相当于带正电荷的空穴在运动，且运动方向与价电子运动方向相反。为了区别于自由电子的运动，把这种运动称为空穴运动，并把空穴看成是一种带正电荷的载流子。 在本征半导体内部自由电子与空穴总是成对出现的，因此将它们称作为电子-空穴对。 当自由电子在运动过程中遇到空穴时可能会填充进去从而恢复一个共价键，与此同时消失一个“电子-空穴”对，这一相反过程称为复合。 在一定温度条件下，产生的“电子空穴对”和复合的“电子空穴对”数量相等时，形成相对平衡，这种相对平衡属于动态平衡，达到动态平衡时，“电子-空穴对”维持一定的数目。　　 可见，在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而金属导体中只有自由电子一种载流子，这是半导体与导体导电方式的不同之处。 当温度升高时，本征激发产生的“电子—空穴”对数目增多。因此，半导体载流子浓度受温度影响比较大。 [下一页] 1.1.3 杂质半导体 1、N型半导体 磷原子最外层有5个价电子，它与周围的4个硅原子组成4对共价键，还多余1个价电子，它只受磷原子对它微弱的束缚，因此它很容易挣脱束缚而成为自由电子，磷原子失去一个电子而成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。 　　在本征半导体中，每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数载流子（简称多子），空穴则为少数载流子（简称少子）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子半导体，也称为N型半导体。 N型半导体特点： 掺杂：五价元素 自由电子—多数载流子，主要由掺杂质产生 空穴—少数载流子，由本征激发产生 [下一页] 2、P型半导体 硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为受主原子，又称受主杂质。 在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供1个空穴，当掺入一定数量的硼原子时，就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发产生的电子的数目，成为多数载流子，而电子则成为少数载流子。显然，参与导电的主要是空穴，故这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。 P型半导体特点： 掺杂：三价元素 空穴—多数载流子，主要由杂质原子提供 自由电子—少数载流子，由本征激发产生 [下一页] 1.2 PN结 PN结是构成各种半导体器件的核心。许多半导体器件都是用不同数量的PN结构成的，所以PN结的理论是半导体器件的基础。 [下一页] 1.2.1 PN结的形成 由于P区的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N区多数载流子是电子，少数载流子是空穴，这就在交界面两侧明显地存在着两种载流子的浓度差。因此，N区的电子必然越过界面向P区扩散，并与P区界面附近的空穴复合而消失，在N区的一侧留下了一层不能移动的正离子；同样，P区的空穴也越过界面向N区扩散,与N区界面附近的电子复合而消失，在P区的一侧，留下一层不能移动的负离子。扩散的结果，使交界面两侧出现了由不能移动的带电离子组成的空间电荷区，因而形成了一个由N区指向P区的电场，称为内电场。随着扩散的进行，空间电荷