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第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 7.2 ROM 7.2.1 掩膜ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 掩膜ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产。 简单，便宜，非易失性。 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 双极型存储单元 三管动态存储单元 单管动态存储单元 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 * 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/出引脚数目有限 一、一般结构形式 主要技术指标：存取容量、存取速度 二、分类 1、从存/取功能分： RAM：在工作时既能从中读出（取出）信息，又能随时写入（存入）信息，但断电后所存信息消失。 ROM：在工作时只能从中读出信息，不能写入信息，且断电后其所存信息仍能保持。 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 只能改写一次。 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 写入时，要使用编程器 六管N沟道增强型MOS管 六管CMOS静态存储单元 +Vcc 位线B 位线B 字线X T1 T2 在维持状态下，字线电平为0.3V,低于位线电位1.1V,与位线连接的两个发射结处于反偏状态，相当于位线与存储单元断开。T1、T2一个导通另一个截止。 当单元被选中时，字线电位被提高到2.2V，位线的电位低于字线，于是导通管的电流便转而从位线流出。 读出时，只要检测其中一根位线上有无电流即可。 写入时，如写1时，写入电路使B=1，B=0，将位线B切断，迫使T1截止、T2导通，T2的电流由位线B流出。 四管动态存储单元 T1和T2管交叉耦合，信息存储在C1、C2上。C1、C2上的电压控制T1、T2管子导通与截止。 T3、T4是门控管，控制存储单元与位线的连接。 T5、T6组成对位线的预冲电电路，并且为一列中所有存储单元所公用。在访问存储器开始时，T5、T6栅极上加“预充”脉冲，T5、T6导通，位线B与B被接到VDD而变为高电平。当预冲脉冲消失后，T5、T6截止，位线与电源VDD断开，但由于位线上分布电容的作用，位线上的高电平可保持一段时间。 动态存储单元是利用MOS管栅极电容 可以存储电荷的原理 VDD T4 T3 T2 T1 C C B 写位线 写字线 读字线 读位线 读时，先通过T4对CB预充电，当C上有电荷时，T2导通，CB上的电荷通过T2、T3放电，位线为低电平；当C上无电荷时，T2截止，CB没有放电回路，位线为高电平。 写时，写字线为高电平，数据通过T1对C充电或放电。信息存储在C上。 刷新，在进行读时，将C中信息取至读位线上，经一反向器送至写位线，然后再进行写。 T1 C C B 字线 位线 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) *