半導體與光電廠務設施_熱流.ppt

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半導體與光電廠務設施_熱流

半導體與光電廠務設施 熱流相關知識複習 熱流相關知識 熱力學:第一定律、狀態方程式、能量方程式、混合氣體 (空氣線圖) 流體力學 : Bernoulli 方程式、管內流動流場諸性質計算 熱傳遞 : 熱傳導、熱對流、熱幅射、熱交換器選型 熱流性質與狀態 所謂性質是可描述、可定量計算的獨立(或基本)特性或屬性 質量、體積等”集合性”屬性廣範性質 壓力、溫度、密度等不隨”集合量”大小變化的性質屬強度性質 利用性質描述物理場內的情況稱為”狀態” 描述一物理狀態至少需要兩個性質 熱流性質 溫度:一般以攝式(oC)溫標註記,但在許多熱流計算時常用凱式(K)溫標註記 壓力:為表面積上所承受法線(正向)力 - 表壓力:多用於密閉系統,以顯示系統內之壓力(如壓縮空氣、閉循環水路) - 絕對壓力:多用於開放系統,尚加上大氣壓力(101.3kPa)的作用(如通大氣設計之水槽泵送) 密度:單位體積所含有的質量 比容:單位質量所含有的體積(與密度互為倒數) 比熱(Specific Heat) 使一單位質量溫度上升一溫度單位所需要的能量 普遍的描述有定壓比熱(Cp)與定容比熱(Cv)兩種,但廠務系統設計大多用到定壓比熱 廠務系統設計常用的流體近似定壓比熱 乾空氣 : 1.0 KJ / Kg.K 液態水 : 4.19 KJ /Kg.K 水蒸汽 : 1.88 KJ /Kg.K 內能與焓(Enthalpy) 內能為物質微觀所具有能量(U) 一般流體設備問題分析均考量為開放系統,則必須考慮流功的問題(W=P.V) 為方便問題的分析,將U+P.V的組合定義為焓(H=U+PV) 因U、P、V為狀態性質,故H本身也為狀態性質 利用焓的變化可計算等壓過程中加入或除去的熱量 熱力學第一定律 輸入系統熱與輸出功之差額為系統能量的增加,其普遍型式為δQ-δW=dEsystem Esystem=U(內能)+KE(動能)+PE(位能) ,取其微分的形式為dEsystem=dU+d(KE)+d(PE) 由於KE=1/2 mV2 ,PE=mgZ,故dEsystem=dU+d(1/2 mV2)+d(mgZ) 考慮開放系統邊界流體作功為PV故dH=dU+d(PV) 由能量守恆,δQ-δW=dH+d(1/2 mV2)+d(mgZ) 熱力學第一定律 對一開放系統 δQ- H1+1/2 mV12+mgZ1 =H2+1/2 mV22+mgZ2+δW 倘若無功之輸出(δW=0)且高度相同,無動量之變化,故加熱或冷卻熱之輸出入變化為 δQ=ΔQ=ΔH=H2-H1=m(h2-h1) 藉由查表可求的相對焓差,或考慮為等壓狀況 ΔH=mCP(T2-T1) 熱力相變化性質 流體可透過加熱或冷卻系統達到相的變化 不同的溫度與壓力,相變化所需能量也同不同 顯熱加熱或冷卻: 物質僅有溫度變化,無相的改變 -例如空調,製程冷卻水 潛熱加熱或冷卻: 物質僅有相變化,無溫度的改變 -例如鍋爐、冷凝器等 理想氣體方程式 熱力學各種性質是由物質的狀態決定 表示各狀態下之方程式 -PV=RT,P:壓力、V:體積、T:溫度、R:氣體常數 -可以為比性質或變率 如 理想氣體方程式 各種狀態間變化的過程計有等壓、等溫、絕熱以及等容過程;若不為上述幾種情況則稱為多變(Polytropic)過程 考慮氣體以多變過程變化(PVn=常數),則 n=1 (等溫) ,n=K=CP/CV(絕熱)(Kair=1.4) 在廠務公用系統工程規劃中,設備假定隔熱設施完善,故大多假設為絕熱過程 多變過程功之輸入 絕熱過程功之輸入 理想氣體方程式 絕熱狀態時若W12為負值,代表系統總能的變化轉換為壓縮功,反之為動力輸出 前者代表性設備為壓縮機或真空泵,後者為渦輪機或引擎等原動機 真實狀態的設備本身不可能達到完全絕熱,故有部份壓縮功以熱傳形式輸出。故所計算出之數值為需為最小壓縮功。 由能量守恆,真實壓縮功輸入=絕熱壓縮功+設備熱傳量(e.g.: 由滑油涼油器或空氣冷卻器所輸出熱) 質量守恆 Darcy Weisbach方程式 各種阻力因子可查表獲得,部份可直接計算得到(例如突張或突縮管) 磨擦因子( f ) 層流狀態時有解析解(Exact Solution)但以外則必須藉由Moody圖求得 磨擦因子有許多經驗或半經驗公式方便計算,但必需注意適用的條件(如雷諾數) 熱傳導 熱傳導 熱傳導 熱傳導計算應用 空調熱負載 保溫保冷材料厚度選用(查表或疊代計算) 廠房斷熱能力判斷 熱對流 牛頓冷卻定律 對流系數與流體性質、流體速度、幾何形狀有很大的關連 一般概估 空氣自然對流熱傳係數=5~25W/m2K 空氣強制對流熱傳係數=10~200W/m2K 水自然對流熱傳係數=20~100W/m2K

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