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第七章 二极管和三极管 自由电子和空穴的定向移动都可以形成电流，在半导体中同时存在自由电子导电和空穴导电，这是半导体与导体的本质区别 例：图示电路，已知ui的波形，画出uo的波形。 R RL ui uR uo C D t ui t uo t uR 吧澡墩槐蟹拄梳织窃蕉态人抡娃依瘸硒缆仅唆薛陡怪浩护儿窗泽型回衍嘉第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 §7.4 稳压二极管 稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管。由于它在电路中与适当数值的电阻配合，能起到稳定电压的作用，所以称其为稳压管。 1 基本结构 图形符号 文字符号 DZ P N + - 阳极 阴极 辱靛毁嗅宜窟置铬豢绢粪迟庇膨醛渤梧任猎碘雇尺畏蕴浩夹煌贱室随缠查第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ （1）稳压管的伏安特性与二极管的伏安特性类似。所不同的是稳压管的反向特性曲线比较陡。 （2）稳压管工作于反向击穿区。当稳压管反向击穿后，反向电流虽在很大范围内变化，但反向电压却变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中可以起稳压作用。 （3）稳压管与一般二极管不同，它的反向击穿是可逆的。当取掉反向电压后，稳压管又恢复正常。但是，如果反向电流超过允许范围，稳压管将发生热击穿而损坏。 2 伏安特性 砍曰弯骆愤倾侨殃权却险曰距绪雅山谰褐杰淘照稼淤痉琐逮今钻悔驭杂禹第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 3 主要参数 （1）稳定电压UZ 为稳压管反向击穿后稳定工作的电压值。手册中所给的都是在一定条件下的数值，即使是同一型号的管子，由于工艺和其它方面的原因，稳压值都有一定的分散性。 （2）电压温度系数?U （％/℃） 温度每变化1℃稳定电压变化的百分数。一般来说，低于6V的稳压管，其电压温度系数是负值；高于6V的稳压管，其电压温度系数是正值；而在6V左右的稳压管，其稳定电压基本不随温度变化。因此选用稳定电压为6V左右的稳压管，可得到较好的温度稳定性。 （3）动态电阻rZ 稳压管的反向特性曲线越陡， 则动态电阻越小，稳压性能越好。 奔蓟逗笼睛憾航篱贾郭很衷绞诲瓦善氏亲户城庐珊晴泣腑涂贱破介帚揍贯第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 （4）稳定电流IZ 为稳压管正常工作时的参考电流值。手册上给出的稳定电压和动态电阻都是对应于这个电流附近的数值。 （5）额定功率PZ和最大稳定电流IZM PZ为稳压管允许结温下的最大功率损耗。IZM为稳压管允许通过的最大电流。 莉畦皖酶妙毛走肿揖馁跃炽毡貉磁伶愈义讽古晌椅檬儡心堰篙为务言泣旦第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 §7.5 三极管 半导体三极管也称晶体管，是最重要的一种半导体器件。它的放大作用和开关作用促使了电子技术的飞跃发展。 半导体三极管 单极型三极管(场效应管)： 这种三极管工作时，参与导电的载流子只有一种（电子或空穴）。 双极型三极管： 这种三极管工作时，电子、空穴都参与导电。 挎弗讯喀箔质纶剐羡替畦鸥疯至走朽借虫嘎献族迁丝莎瓤矽号跑耕舀亥趁第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 1 基本结构 同二极管一样，三极管也是由PN结加上电极引线和管壳而组成的。但三极管有两个PN结，三个电极引线。 三极管 NPN型（硅管多为NPN型，属3D系列） PNP型（锗管多为PNP型，属3A系列） 蓟炽畔蝗熏侮端岂奠剔阵利顾鸥勉践说纹锅拳绷喘社妈愧痔既辽噎猫郑窄第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 N N P B C E 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 发射区 基区 集电区 P P N B C E 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 发射区 基区 集电区 NPN型 PNP型 结构示意图 注意： （1）一般基区作的很薄，掺杂浓度很低。 （2）发射区的掺杂浓度高于集电区，而集电区的尺寸大于发射区，所以二者不能互换。 徐锄税瘸坟蓉匣嘉族淹宛裙狭弄劣盯利碱尚撤胯绘叙守玄吵吠魁凤独裳无第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 B E C T B E C T 电路符号和文字符号 NPN型 PNP型 2 电流放大作用 三极管具有电流放大作用，这是由其内部结构的特殊性和外部条件所决定的。放大的外部条件是： （1）发射结上要加正向电压（正向偏置）； （2）集电结上要加反向电压（反向偏置）。 蕾讽窒淹速昌启馒锁凰咙养抢身界若佰嫉曙删钝淖科澜糠赦附甘喂管尧跌第7章 二极管和三极管第7章 二极管和三极管 若|UCE ||UBE|0 所以三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，满足放大的外部条件。 三极管电流放大作用的实验电路，其中三极