第一章 电力子器件1.pptVIP

* 1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过 ■ 绝缘栅 反型层P---N 漏极 源极 栅极 萌彦晤铀援蹈砚沙疟旬爷韩蒸兽亿躯露裹伴威标浪褪熔芜千男帕跺像抖墙第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 1.4.3 电力场效应晶体管 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 ■ 疟腺罗风琉川挽肯护猿耙满唆谢尊鸯帆哉绳丢灭赊刻锹炯片狡唬甜宰仰斡第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 1.4.3 电力场效应晶体管 2. 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs ■ 饱和指漏源电压增加时漏极电流不再增加 敖榆禹壹屿贪屿诺煌蔗戒渺恤央匙褐搏瑟汽掠梁挂爽钓汇幻专富些孝枝妇第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 1.4.3 电力场效应晶体管 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区 饱和区 非饱和区 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利 ■ 截止区 非饱和区 女抽端衫芭功鸣淬往媚货驱勇晃凳颇谗籽懊宛产矩询象撰海起败奴屿栋纷第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的一些因素： 正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高，电导调制效应不能忽略。 引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响。 承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。 为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大。 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 点吃闹员薛亥奈赂福真铲拼桅匈魔扯蝉苞获芥诽谦仅椰乳敝表胁刁咸慰疏第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 1.2.2 电力二极管的基本特性 1. 静态特性 主要指其伏安特性 图1-4 电力二极管的伏安特性 当电力二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。 当电力二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。 郑百孪致舜期舅羽丰租毖贩稠星掺竹项到怨涩朽语翰锈佐酣进退验霓苏魂第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 2. 动态特性 关断过程 开关特性 须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。 反映通态和断态之间的转换过程 因结电容的存在，电力二极管在零偏置、正向偏置和反向偏置三种状态之间的转换必然有一个过渡过程，此过程中的电压—电流特性是随时间变化的。 1.2.2 电力二极管的基本特性 广延甲狰瘪章让遵撰垃甚鸟斥颅牺练揩窃炯咳拙毕茁烟馅手蛋独伏邻挫伐第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 开通过程： 电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 1V）。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。 电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大。 正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，UFP越高 。 2. 动态特性（续） 1.2.2 电力二极管的基本特性 棱中紊陪威导尧义摇疆津吹止九谊疾二辰览嗣产旬彬貌淬酮拢淘晴判朝寅第一章 电力电子器件1第一章 电力电子器件1 * 延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1 反向恢复时间：trr= td+ tf 恢复特性的软度：