超大规模集成电路 第二章.ppt

第I卷: VLSI设计基础 ——基本的版图与性能 晶体管 逻辑门 组合逻辑网络 第二章: 晶体管与版图 晶体管与制造 连线与过孔 版图设计规则与工具 2.1 晶体管与制造 MOS管的符号与特征 MOS管的制造与版图 MOS管的电参数与寄生参数 Spice电路模拟 MOS晶体管: 概念 P-衬底 npn, nMOS 电极: 栅极G(Gate)、源极S(Source)、漏极D(Drain) 0.25um MOS晶体管 (Bell 实验室) MOS晶体管类型与符号+ MOS, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor『金属－氧化物－半导体场效应晶体管』 增强型: Vgs=0时，没有沟道(反型层)。 耗尽型: Vgs=0, 有沟道。 制造服务 教育型服务MPW(Multi-Project Wafer) 美国: MOSIS 欧洲: EuroPractice 台湾: CIC 日本: VDEC 代工厂Foundry = 可雇佣的生产线 今天，代工厂提供了主要的产能 制造过程 集成电路在硅衬底上制造 一些结构通过扩散置入衬底 其它结构在衬底上面制造 一些衬底区域被掺杂成为p型或n型区域(符号n+表示重度掺杂) 连线通过多晶硅(poly)，或多层的金属(metal, 铝、铜)实现 SiO2绝缘