4、半导体元件分析.pptVIP

* * * 3. 限幅电路 二极管D1、D2用恒压源模型，UON=0.7V。当uSUON时，D1导通，D2截止， uo=0.7V；当uS ?UON时，D2导通，D1截止， uo=?0.7V；当| uS | UON时，D1、D2均截止， uo= us。输出电压被限幅在?0.7V，称双向限幅电路。 + – * * 例4.2.3 在图中，输入电位 VA = + 3 V， VB = 0 V， 电阻 R 接负电源 –12 V。设二极管的正向压降是 0.3V,求输出端电位 VO。因为VA 高于VB ，所以D1 优先导通。二极管的正向压降是 0.3V，则 VO = + 2.7V。当 D1 导通后, D2 因反偏而截止。 D1起钳位作用，将输出端电位钳制在 + 2.7 V。解： D1 ?12V Vo D2 VA VB 4.2半导体二极管及其应用电路 * * 三、 特殊二极管一种特殊的面接触型半导体硅二极管，工作于反向击穿区。 I/mA O UZ IZ IZM +正向+ 反向 ?UZ ?IZ U/V 1. 稳压管稳压管反向击穿后，电流虽在很大范围内变化，但其两端的电压变化很小——稳压特性。利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 半导体二极管及其应用电路 1）符号及特性 * * 2）稳压管的主要参数： 1. 稳定电压UZ 4. 稳定电流 IZ、（最大、最小稳定电流Izmax、Izmin）。 3. 动态电阻 rZ 2. 电压温度系数 ?U （%/℃） 5. 最大允许耗散功率 PZM 稳压值受温度变化影响的系数。 4.2半导体二极管及其应用电路 * *电阻的作用:起限流作用，以保护稳压管；当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 3）稳压二极管应用 * * 2.发光二极管 a k当电流流过时，发光二极管将发出光来，光的颜色由二极管材料（如砷化镓、磷化镓）决定。发光二极管通常用作显示器件，工作电流一般在几mA至几十mA之间。 另一重要作用：将电信号变为光信号，通过光缆传输，然后用光电二极管接收，再现电信号。 发光二极管的符号 * * 3.光电二极管 a k a k ip up + ? （a）光电二极管的符号 （b）光电二极管的等效电路光电二极管可将光信号转变为电信号。其特点是它的反向电流与光照强度成正比。 4.2半导体二极管及其应用电路 * * 4.3 双极型三极管 三极管的结构和工作原理 三极管的特性曲线和主要参数 * * 一、半导体三极管的结构和工作原理 三极管的结构与符号 电流分配与放大作用 4.3三极管结构及原理 * * 我国：－1957年，通过还原氧化锗，锗单晶，并制作出锗晶体管。 －1959年，硅（Si）单晶。半导体三极管中由于有电子和空穴两种载流参与导电，也称双极型晶体管（BJT），简称晶体管或三极管。按频率可分为：高频管，低频管；按材料可分为：硅管，锗管；按结构可分为：NPN型和PNP型。 －1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管（锗管)，从而开创了人类的硅文明时代。 －次年，制作出第一只Si管 * *1.三极管的结构和符号三极管按结构可分为：NPN型和PNP型。我们主要以NPN型三极管为例来学习，一切方法和结论都可以用于PNP型。 集电极，用C或c表示（Collector） 集电区，掺杂浓度低 基极，用B或b表示（Base） 基区，薄 发射极，用E或e表示（Emitter） 发射区，掺杂浓度高 发射结(Je) 集电结(Jc)，面积比发射结大 * *符号中，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 b e c b e cNPN型与PNP型三极管的工作原理相似，只是使用时所加电源的极性不同。 4.3三极管结构及原理 * * mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100用实验说明三极管的电流分配与放大作用。实验电路采用共发射极接法，NPN 型管。为了使三极管具有放大作用，电源 EB 和 EC 的极性必须使发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化。 2.电流分配与放大作用 * * IB/mA00.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 三极管电流测量数据 结论： （2） IB 对IC有控制作用。