低频电子电路02章20120305.pptVIP

各类FET管VDS、VGS极性比较 VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型 VGS极性取决于工作方式及沟道类型 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： N沟道FET：VDS 0，ID流入管子漏极。 P沟道FET：VDS 0，ID自管子漏极流出。 JFET管： VGS与VDS极性相反。 增强型：VGS 与VDS 极性相同。 耗尽型：VGS 取值任意。 MOSFET管 第二章 半导体受控器件基础 2.2.3 场效应管与晶体管性能比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 晶 体 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 第二章 半导体受控器件基础 由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q /COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。 MOS管保护措施： 分立的MOS管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS集成电路： T D2 D1 D1 D2一方面限制VGS间最大电压，同时对感 生电荷起旁路作用。 第二章 半导体受