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MOS实物 MOS场效应晶体管的四种基本类型 MOS的缩小 MOS尺寸缩小的限制与对策 2 tox 3 S\D耗尽层厚度 Page ? * MOS场效应晶体管 一、实物图例 二、MOS管的原理及特性 三、Scaling 的限制及对策 主要内容 1 2 3 2 1 电路板中不同引脚数的MOS管 芯片中肉眼看不见的MOS管 一、MOSFET原理及特性 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 整体结构（N沟道） P沟道 P沟道 MOSFET 耗尽型 增强型 N沟道 N沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 工作原理 当vGS≤0时无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0vGS VT 时产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS≥VT 时在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 （1）vGS对沟道的控制作用 （2）vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ? iD? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT P P +