半导体器件半导体工艺氧化.pptVIP

半导体工艺简介 物理与光电工程学院 张贺秋 参考书：《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》，电子工业出版社，赵树武等译，2004-10 室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流 名称 集成度 （数字MOS集成电路） 小规模集成电路（SSI） 100 中规模集成电路（MSI） 102~103 大规模集成电路（LSI） 103~105 超大规模集成电路（VLSI） 105~107 甚大规模集成电路（ULSI） 107~109 巨大规模集成电路 109 环境 级别 最大颗粒尺寸（?m） 甚大规模集成电路生产车间 1 0.1 超大规模集成电路生产车间 10 0.3 封装区域 1000~10000 0.5 住房 100 000 室外 500 000 硅——热氧化 目的 1、列出硅器件中，二氧化硅膜层的基本用途。 2、描述热氧化的机制。 3、列出热氧化反应中的氧化剂及用途。 4、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。 二氧化硅层的用途 1、表面钝化 2、掺杂阻挡层 3、表面绝缘体 4、器件绝缘体 O2 O2 O2 100nm Tox=(B/A)t 线性阶段 Original Si 100nm Tox=(Bt)1/2 抛物线阶段 热氧化的机制 受限反应，受限扩散反应 Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Dry Oxidation Si (S) + O2 (V)