《特种陶瓷课程设计-无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计》.docVIP

北方民族大学课程设计报告 　　 系（部、中心） 材料科学与工程学院 　 姓 名 学 号 　 专 业 材料科学与工程 班 级 材料（一）班 　 同组人员 　 课程名称 特陶课程设计 　 设计题目名称 无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计 　 起止时间　　　2011-5-23-2011-6-5　　　　　　　　　　　　　　 成 绩 　 指导教师签名 　 北方民族大学教务处制 目录 一、产品简介………………………………………………..2 1.1 碳化硅陶瓷的发展情况……………………………………….2 1.2 SIC结晶形态和晶体结构……………………………………2 1.3 本方案的目的及意义…………………………………………2 二、工艺概述………………………………………………3 2.1 SiC原料的制备………………………………………………3 2.1.1原料选择…………………………………………………….3 2.1.2 浆料的制备过程……………………………………………..3 2.1.3 喷雾造粒………………………………………………..........3 2.2 SiC陶瓷的成型……………………………………...3 2.3 碳化硅陶瓷的烧结…………………………………….4 2.3.1 SiC陶瓷烧结特点…………………………………………..4 2.3.2 添加剂的作用………………………………………………..4 2.3.3 SiC的烧结方法………………………………………….6 2.4 精密加工……………….…………………………………9 三、生产技术要求………………………………………10 3.1 SiC粉体的制备技术要求……………………………………10 3.2喷雾造粒的技术要求…………………………………………10 3.3坯料的成型技术要求…………………………………………11 3.4烧结技术要求…………………………………………………11 四 、生成设备………………………………………………12 4.1 本方案选择的设备………………………………………….12 4.2 设备详述……………………………………………………..13 五、SiC陶瓷性能检测及结果分析………………….22 六、 参考文献…………………………………………...25 七、小结………………………………………………………..25 附录一：SiC陶瓷成型采用的模具及产品……………………….26 附录二：SiC陶瓷生产工艺流程图……………………………..26 附录三：SiC生产工艺平面布置图……………………………….27 一、产品简介 1.1 碳化硅陶瓷的发展情况 碳化硅（SiC）陶瓷是以SiC为主要成分的陶瓷，SiC在自然界中几乎不存在，只在陨石中偶有发现。1893年美国人Acheson最早用SiO2碳还原法（SiO2+3C=SiC+2CO(g)）人工合成SiCf粉末，该法至今仍是碳化硅粉体合成机材料制备的主要方法，其后又建立了硅-碳直接合成法、气相沉积法、激光法、有机前驱体法等。 随着现代科学技术的发展，尤其是共价键材料烧结理论的建立，从20世纪60年代以来，碳化硅作为结构材料使用，在此之前主要用于磨料、耐火材料和发热元件的使用。1974年美国科学家Prochazka首先成功地采用亚微米级β－SiC和少量的B、C添加剂作原料，通过无压烧结工艺制得了致密的碳化硅陶瓷。从此，碳化硅成为非常重要的高温结构材料，已形成一个新兴产业。 1.2 SiC结晶形态和晶体结构 碳化硅是共价键非常强的化合无，其晶体结构的基本结构单元是SiC4和SiC4配位四面体，通过定向的强四面体SP键结合在一起，并有一定程度的极化。Si的电负性1.8，C的电负性为2.6，由此可以确定Si-C键的离子键性仅占12%左右。四面体共边形成平面层，并以定点与下一叠层四面体相连形成三维结构，由于四面体的堆积次序的不同，可以形成不同的结构，至今已发现几百种变体，常见的晶型有六方晶系的α－Si和立方晶系β－SiC。 α－Si有上百种变体，其中最主