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?? 单模光纤: 8 um core, 125 um cladding ?? 多模光纤: 50, 62.5, 100 um core, 125 um cladding 4.5 光纤传感器及其应用 4.5.3 典型光纤结构 4.5 光纤传感器及其应用 4.5.4 光纤传光原理 光在纤芯(光密介质)和包层(光疏介质)分界面上发生全反射而向前传输。 数值孔径反应光纤波或光线能力的大小。与纤芯和包层折射率分布有关,而与光纤直径大小无关。NA越大捕获能力越强,光纤与光源之间耦合型越好。 4.5.5 光纤传感器的分类 (1)按光纤在传感器中的作用分 功能型:光纤本身起传感作用。外界被测量对光纤内传输的光波参数进 行调制,通过对被调制过的光波信号进行解调检测,从而获得 被测量。 非功能型:又称传型光纤传感器。光纤只当做传播光的媒介,依靠其它 敏感元件实现对待测对象的调制功能。 (2)按光在光纤中被调制的原理分 强度调制、相位调制、频率调制、波长调制、偏振态调制等等 (3) 按被测对象划分 光纤温度传感器、光纤电流传感器、光纤电压传感器、光纤压力传感器…… 4.5 光纤传感器及其应用 4.5.6 构成光纤传感器的主要器件 光源:钨丝灯、(固定波长/波长可调谐)激光器、发光二极管等 光纤:单模光纤、多模光纤、保偏光纤、塑料光纤、掺杂光纤等 探测器:光电池、光电二极管(PIN光电二极管、雪崩式光电二极管)、光电倍增管。(主要参数:灵敏度、工作波长) 其它常用光学器件:光纤耦合器、隔离器、光纤滤波器等 4.5 光纤传感器及其应用 4.5 光纤传感器及其应用 4.5.7 光纤传感器举例 1. 磁光式光纤电流传感器 4.5 光纤传感器及其应用 磁致旋光效应 一束线偏振光沿外加磁场方向或磁场强度方向通过置于磁场中的磁光介质时,其偏振面发生旋转的现象称为磁光效应,通常又称为法拉第效应。 光波偏振面转过的角度θ与 光在介质中通过的长度d及介质 中光传播方向上的磁感应强度 B成正比,即 式中V称为费尔德常数,它表 征物质的磁光特性 磁光效应原理图 2. 磁光光纤电流传感器原理 工作原理:由光源出射的光经过起偏器后变为线偏振光,经保偏光纤传输入传感光纤。传感光纤是采用具有磁光效应的材料制作的特种光纤。其缠绕在电流导线上面。由于Faraday效应,线偏振光的磁致旋光角为 式中,μ0为真空介电常数,r为传感光纤半径。 基于磁光效应的光纤电流传感器结构图 传感头 当α取45度角时, 此时检测出射光强的变化量,便可求得被测电流的大小。 具有磁光效应的光纤有铅玻璃光纤、火石玻璃光纤、ZF1磁光玻璃光纤等。 如果入射光强为I0,出射光强为I,由马吕斯定律可知,末端的检偏器检测到Faraday偏角引起的线偏振光强度为 其中,α为检偏器和起偏器透光轴的夹角,θ为法拉第磁致旋光角。 2. 磁光光纤电流传感器原理 电光效应 在电场作用下,光线通过介质产生双折射的现象称为电光效应。晶体电光效应包括Kerr效应和Pockels效应。 Pockels效应 也称线性电光效应,是指在外电场作用下,晶体的介电特性发生变化,晶体的两个主轴折射率(ne,no)之差?n于外电场场强E成正比的现象。 ?n=no-ne = γE,γ——线性电光系数。 Kerr效应 ?n=no-ne = kE2,k——克尔常数。 2. 电光效应光学电压传感器 P1P2是两正交偏振片,克尔盒中成有液体,并装有长为l,间隔为d的平行板电极,加电场后两电极间液体获得单轴晶体性质,其光轴方向沿电场方向 E为电场强度。线偏振光通过克尔盒是产生双折射,o光和e光的光程差δ及对应的相差△φ为: 电压变化导致光程差随之改变,从而透过P2的光强也发生变化。可以推导出输出和输入光强的关系为 α为克尔盒光轴方向与p1偏振方向的夹角,显然α=45°输出光强极大。且: 利用电光效应测量电压的原理 其中, 称为半波电压,是当两光波间的相位差△φ为π弧度时所需要的外加电压 Pockels盒 用各种Pockels晶体可以制成Pockels盒。利用这一结构,可以制成各种光开关、光调制器或电压传感器。 各种Pockels盒 (美国Qioptiq公司) Pockels盒结构 利用电光效应测量电压的原理 电光效应测量电压信号的特点: 体积小,电气安全性好; 测量频率范围最高达到GHz,传统方法很难
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