5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管1.ppt

场效应管与晶体管的比较 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 考虑到 则 (其中 （增强型） 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS * 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类(field effect transistor) 特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、 体积小、成本低 2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 (Mental Oxide Semi— FET) 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗 尽 层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B 5.1.1 N沟道增强型MOSFET N型硅衬底 P区 P区 S G D B 源 极 漏 极 栅 极 衬底引线 浓度低 浓度高 SiO2 绝缘层 P型沟道 绝缘栅场效应管 D B S G 增强型符号 D B S G 耗尽型 符号 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D 2. 工作原理 （1）UGS对沟道的控制作用 a.当UGS≤0时 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 b.当0UGS VT 时 产生电场，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? VT后， 形成导电沟道，在一定的电压UDS，有ID产生，ID的大小与栅源电压UGS有关。 所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS