2章 门电路.pptx

第二章 门电路数字电子技术基础简明教程2.1　半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性2.2　分立元器件门电路2.3　CMOS集成门电路2.4　TTL集成门电路概述门电路是用来实现基本逻辑关系的电子电路，它是数字电路中最基本的单元。门电路的主要类型有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等。SAK2. 1 半导体二极管 、三极管和 MOS 管的开关特性 2. 1. 1 理想开关的开关特性一、 静态特性1. 断开2. 闭合SAK闭合）（断开断开）（闭合二、动态特性1. 开通时间：2. 关断时间：普通开关：静态特性好，动态特性差几百万/秒半导体开关：静态特性较差，动态特性好几千万/秒/mA正向导通区反向截止区P区N区--------0.700.5++++++++/V+-反向击穿区AK2. 1. 2 半导体二极管的开关特性一、静态特性AK阳极阴极PN结1. 外加正向电压(正偏)硅二极管伏安特性二极管导通(相当于开关闭合)2. 外加反向电压(反偏)二极管截止(相当于开关断开)DD++--0.7 V+-二极管的开关作用：[例]电路如图所示，　试判别二极管的工作状态及输出电压。uO = 0 V二极管截止[解]uO = 2.3 V二极管导通t0t0≤二、动态特性电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成1. 二极管的电容效应结电容 C j扩散电容 C D2. 二极管的开关时间ton — 开通时间toff — 关断时间(反向恢复时间)collector集电极NP基极Nbaseemitter发射极2. 1. 3 半导体三极管的开关特性一、静态特性(电流控制型)(Transistor)1. 结构、符号和输入、输出特性(1) 结构(2) 符号c集电区iBiC集电结b基区发射结iEe发射区NPNiC / mA饱和区432150 μA40μA30 μA20 μA10 μAiB = 0IB/?AuCE /VO0 2 4 6 8状态电流关系 条 件(3) 输入特性发射结正偏放大i C= ? iB集电结反偏饱和 i C ＜ ? iB两个结正偏临界I CS= ? IBSJe正偏 Jc零偏截止iB ≈ 0, iC ≈ 0两个结反偏或Je正向电压0.5V放大区(4) 输出特性截止区IC过流区ICM过安损过压区全 耗工作区区UCEO极限参数限定BJT的安全工作区1. 集电极最大允许电流 ICM在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。2. 集电极最大允许耗散功率 PCMICUCE PCM 为过损耗区3. 极间反向击穿电压U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。U(BR)CEO+VCC (12V)Rc2 k?iC+uo?Rb+?iBT3V2.3 k?uI-2V2. 开关应用举例发射结反偏 T 截止发射结正偏T 导通放大还是饱和？+VCC +12VRc2 k?iC+uo?Rb+?iBT3V2.3 k?uI-2V≤饱和导通条件：因为所以+12VuFuAuBR3.9KD1D2§1.2 分立元件门电路一、二极管与门0V 0V 0.3V0V 3V 0.3VAF3V3V 0V 0.3VB0V3V 3V 3.3V逻辑变量逻辑函数( uD=0.3V )I:正逻辑（input)O:负逻辑(output)正逻辑极性指定负逻辑极性指定高电位：1高电位：0规定低电位：1低电位：0I:负逻辑混合逻辑O:正逻辑一般采用正逻辑“1”“1”+12VR3.9KD1AF3VD23.3VB“0”“0”0V0.3V 输 入 输出uFuAuB0V 0V 0.3V0V 3V 0.3V3V 0V 0.3V3V 3V 3.3V真 值 表: A B F0 0 00 1 01 0 01 1 1真值表: n个变量 ? N=2n 种组合真 值 表 输 入 输出 A B F0 0 00 1 01