工业结晶-第四章-成核与成长剖析.pptVIP

基本概念 晶体的成长速率可以用很多种方法来定义，在文献中也同时（或交替）使用，因此了解它们的定义和关系也是非常有用的。 线性成长速率：在晶体的某个方向上随时间的变化。单位：长度/时间 这种表示方法并不充足，因为不同的晶面会有不同的成长速率，但能表示出你所感兴趣的方向的尺寸变化，同时能给出所感兴趣的很多信息。因此，线性成长速率是晶体成长速率最基本的表示方法。 注意：严格上讲晶体的线性成长速率是某一晶面的法向成长速率，与晶面相关。 晶体整体线性成长速率：用晶体的线性速率描述晶体特征尺寸随时间的变化，这时的晶体成长速率叫晶体整体线性成长速率。（overall growth rate or overall linear growth rate） 例如球形晶体，直径为特征尺寸，如晶体是其它形状，其特征尺寸是晶体第二长的尺寸（筛分的结果）。 这样的特征尺寸通过晶体的体积、面积、形状系数而计算晶体的体积和表面积。 晶体质量成长速率：通过晶体质量随时间的变化来定义晶体的成长速率。单位：kg/s·m2 这一单位也经常被使用，可与整体线性成长速率建立联系。 RG—单位时间单位面积晶体质量变化 A—晶体表面积, L—特征尺寸 由此可见，体积、面积、形状系数是很重要的参数，只能通过测量来解决。 晶体成长理论 晶体层生长理论：其着眼点为溶质分子在晶体表