第01章半导体基础课件.ppt

P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS 增加，UGD=UGS(th)时，靠近D 端的沟道被夹断，称为预夹断。 设UGS 为一大于UGS(th)的固定值，且 0 UDS UGS - UGS(th)，即 UGD = UGS - UDS UGS(th) UGS(th) 称为开启电压 三、N 沟道增强型 MOS 管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS UGS(th) 2UGS(th) IDO 漏极特性曲线 ID U DS 0 UGS0 可变电阻区 恒流区 击穿区 四、 N 沟道耗尽型 MOS 管的特性曲线 耗尽型的 MOS 管在UGS = 0 时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 P N N G S D 预埋了导电沟道 0 ID UGS UGS(off) 转移特性曲线 漏极特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 1.4.3 场效应管的主要参数（自学） 一、直流参数 1．饱和漏极电流 IDSS 2．夹断电压 UGS(off) 3．开启电压 UGS(th) 4．直流输入电阻 RGS 　1．低频跨导 gm 二、交流参数 跨导 gm UGS= 0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS= +1V UGS= +2V UGS= -1V UGS= -2V =