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- 2017-01-03 发布于贵州
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新上转换CdSe/NaYF4:Yb纳米异质结构的近红外光谱光电灵敏度
多元异质结构包含两个或更多的纳米级成分被安排在一个对许多快速发展的区域有基本的和现实重要性的受控的方式。这样的系统组件之间的相互作用可明显改善现有的并引起新的化学和电子特性。我们在这里报告的新的纳米异质结构合成由用CdSe量子点(量子点)树枝状地装饰的稀土元素(LN)掺杂的NaYF4纳米晶组成。这些材料结合上转换并且有半导体的性质,导致了子带隙光电导现象。
LN掺杂纳米晶刺激了最近重要的兴趣因为它们能将低能量的近红外(NIR)光子转换为可见光的能力。上变频在稀土化合物中发生在连续吸收两个近红外光子时(通过一个一直存在的单激发态)并且大部分与经典的双光子过程不同,双光子过程发生通过同步双光子吸收和要求非常高的光子通量。一种最有效的上转换纳米晶就是NaYF4:Yb,Er,在Yb的掺杂离子吸收近红外光子和Er离子发射出上转换可见光。而上转换也存在(并且甚至更有效)散装材料,纳米晶体的溶解性对许多应用是很重要的,包括传感器,成像,和器件的制备。这些许多都需要有效的能量转移(ET)从上变频器到一个合适的能量受体。然而,从上转换稀土材料的能量转移研究仍然是罕见的。
我们的目的是探讨从稀土材料到CdSe的能量转移,因为它的半导体特性。高效的上转换用子带隙的光子的能量在半导体中创建一个电子空穴对允许
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