ch05-MOS电容课件.pptVIP

理想的MOS电容假设半导体表面的电场完全由外加栅压产生，实际的MOS结构并不是这样的，因为： 金属和半导体的功函数不同 氧化层中存在各种电荷 在半导体和氧化层交界面存在界面态 所有这些因素都将在半导体表面引起相应的电场，并影响MOS电容的C-V特性。 金属－半导体功函数差 接触电势差： 由于功函数差，当栅压VG= 0时，半导体表面已经存在空间电荷区，并使能带弯曲。在MOS电容的栅上加适当的电压就可以使表面空间电荷区消除，能带恢复平直，这个电压称为平带电压，用VFB表示，显然有： 由于存在接触电位差，实际上加在MOS电容上的偏压VG可以看做是由（VG－VFB）和VFB两部分组成的，前者相当于理想C－V中的VG，后者抵消接触电位差。 在理想MOS中，VG = 0 时的电容为平带电容，实际的MOS中，当VG－VFB ＝ 0，电容为平带电容CFB。即当电压VG＝VFB时，电容才是CFB 。这表明，功函数差使理想C－V曲线，沿水平方向平移VFB 。 理想C－V 对C-V特性的影响 界面陷阱和氧化物电荷 热氧化形成的Si-SiO2系统中的各类电荷及分布 金属 Na+ K+ 可移动离子电荷 氧化物 陷阱电荷 ＋ ＋ ＋ － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ × × × × × × 固定电荷 Na+ 界面陷阱电荷 Na+ 界面陷阱电荷 Qit 位于Si-SiO2界面，其能级位于禁带内。