1450nm半导体激光治疗痤疮疗效观察.docVIP

1450nm半导体激光治疗痤疮疗效观察 　　[摘要]目的：探讨1450nm半导体激光治疗痤疮的疗效及不良反应。方法：应用1450nm 半导体激光治疗36例痤疮患者3次，治疗间隔时间3～4周。结果：总皮损和炎症性痤疮皮损分别减少57.1%与82.3%，随访6个月后皮损继续减少，与治疗前相比，差异有统计学意义。术后局部可出现红斑、炎症后色素沉着和局部水疱，但未发现色素减退。结论：1450nm半导体激光治疗炎症性痤疮安全、有效。 　　[关键词]痤疮；半导体激光；1450nm 　　[中图分类号]R758.73+3 [文献标识码]A [文章编号]1008-6455（2014）03-0225-03 　　痤疮是慢性炎症性毛囊皮脂腺疾病，好发于青少年。一般以口服和外用药物治疗为主，由于用药周期长且有毒副作用，患者很难坚持用药，疗效不佳。1450nm半导体激光用于临床治疗痤疮取得了较好疗效，但目前1450nm半导体激光在中国应用尚不普遍，临床资料较少[1-3]，为探讨1450nm半导体激光对中国人面部痤疮的疗效及安全性，笔者采用该激光治疗轻、中、重度痤疮患者，观察疗效并进行随访，现将临床结果报道如下。 　　1 临床资料 　　1.1病例：入选标准：根据Pillsbury分类法选择，男女不限，年龄16～45岁。参阅Pillsbury分类法诊断标准：轻度（I级）：以粉刺为主要皮损，可有少量丘疹和脓疱，总病灶数少于30个；中度（II级）：有粉刺，并有中等数量的丘疹和脓疱，总病灶数在31～50之间；中度（III级）：大量丘疹和脓疱，偶见大的炎性皮损，分布广泛，总病灶数在51～100之间，结节小于3个；重度（IV级）：结节、囊肿性或聚合性座疮，多数有疼痛并形成囊肿，病灶数在100个以上，结节/囊肿在30个以上。排除标准：妊娠及哺乳期妇女、继发性痤疮、治疗前2周使用过其他药物治疗者、治疗前2周内暴晒过、有系统疾病者、精神或心理不正常者。 　　共入选患者36例，其中男11例，女25例，年龄16～45岁，平均为21.5岁。轻度（I级）14例，中度（II级）12例，中度（III级）8例，重度（IV级）2例。 　　1.2治疗设备：1450nm半导体激光（Smoothbeam ，美国Candela激光公司生产）。 　　1.3治疗方法：激光光斑直径为6mm，能量密度8～2J/cm2，动态冷却（DCD）时间为22～30ms。常规清洁皮肤后，外涂复方利多卡因乳膏，1h后用激光对皮损进行照射，光斑之间可略有重叠，重叠不超过10%。治疗过程中根据部位调整能量密度，面颊可适当调高能量密度，下巴、额头、颧部可适当调低能量密度，以防止水疱形成，治疗后冰敷20～40min。所有患者均进行治疗前后对照，共治疗3次，治疗间隔3～4周，如有明显色素沉着延长治疗间隔，待色素沉着减轻或消退后再进行下次治疗。 　　1.4疗效判定指标及标准：①皮损计数：于每次治疗前后，对皮损进行计数并拍照，由同一名医生对皮损进行计数，同时记录不良反应，第3次治疗后1周、3周及6个月分别进行随访；②患者自评：每次治疗前及治疗后均记录患者自评情况，自评结果分为：痊愈、显效、有效、无效、恶化；③疗效判定标准[4-5]：疗效指数=（治疗前皮损数-治疗后皮损数）/治疗前皮损数×100%。痊愈：皮损减少90%；显效：皮损减少60%～89%；有效：皮损减少30%～59%；无效：皮损减少30%；恶化：皮损增加。 　　1.5统计方法：应用SPSS11.5软件，治疗前后的疗效对比采用独立样本配对t检验。 　　2 结果 　　2.1 临床疗效：36例患者随着治疗次数的增加，疗效逐步提高。治疗3次后，总皮损减少57.1%，炎性丘疹减少了82.3%，有效率78.0%。患者自评：62.3%对疗效感到满意（皮损痊愈和显效），25.6%感到较满意（改善），12.1%感到无效，其中95.0%的患者皮肤质地得到改善。典型病例治疗前后图片见图1～2。 　　2.2不良反应：激光治疗后，由于应用能量密度大小不同，患者有不同程度的红斑、疼痛、水疱和色素沉着出现。其中93.5%患者出现红斑，治疗后1～3天消退；26.8%患者出现色素沉着，1～6个月后完全消退；2.6%患者出现浅表水疱，经过4～7天结痂掉痂；术中有不同程度的疼痛感，15%患者感觉疼痛较轻微，85%患者外涂利多卡因乳膏时间在1h以上才能完成整个治疗过程。术后冰敷3～5min可明显缓解疼痛感。 　　2.3随访结果：随访6个月， 36例患者，痊愈23例（63.9%），显效10例（27.8%），无效3例（8.3%）。 　　3 讨论 　　痤疮一般青春期开始发病，好发于面部、上胸及背部皮脂腺发达部位，对称分布；发病与性激素水平、皮脂腺毛囊口角化、毛囊内微生物及遗传有关