2第二章氧化..pptVIP

P掺杂浓度对氧化速率的影响 现象：低温下掺P的氧化速率增大明显，高温下增大消失。 解释：线性速率常数B/A在低温和起始氧化时起主导主要。 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 ③水汽 干氧中，极少量的水汽就会影响氧化速率； 水汽会增加陷阱密度。 水汽来源：Si片吸附；O2；外界扩散；含氯氧化中氢与氧反应。 ④钠 钠以NaO的形式进入SiO2中，非桥键氧增加，氧化剂的扩散能力增加。 Na来源：管道、容器等；化学药品；人体； ⑤氯 氯的作用：固定重金属、Na+等杂质；增加Si中的少子寿命；减少SiO2中的缺陷；降低界面态和固定电荷密度；减少堆积层错。 掺Cl对速率常数B的影响：使B明显增大；掺Cl对速率常数B/A的影响：低浓度时增加明显，高浓度时饱和 机理：4HCl+O2 2H2O+2Cl2 掺氯对氧化速率的影响 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 B：0.1-1； P、As、Sb: 10； Ga：20 ； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 （a)m1、 SiO2中慢扩散：B (b)m1、 SiO2中快扩散：H2气氛中的B (c)m1、 SiO2中慢扩散：P (d)m1、 SiO2中快扩散：Ga 2.5 热氧化的杂质再分布 2