柔性电子制造基础文献-无机薄膜晶体管制备之图形转移工艺-望金山解答.docVIP

无机薄膜晶体管制备之图形转移工艺 姓名:望金山 班级： 学号： 摘要：晶体管结构制造是IC器件的基础，如今的半导体芯片、电子器件和集成电路向着更高集成度方向发展，而图形转移技术是芯片制造的关键，决定了芯片的最小尺寸。决定IC 特征尺寸大小的关键和瓶颈技术就是其中的光刻环节。IC 特征尺寸的变化与光刻技术的发展关系遵从着著名的摩尔定理。随着IC 特征尺寸的减小，采用的曝光方式从接触式、接近式到投影式；光源从436、365、248 nm 到193 nm;数值孔径从0.35、0.45、0.55、0.60到0.70。当特征尺寸小于100 nm 时，离轴照明技术、相移掩模技术、浸没透镜技术等作为目前提高光刻分辨率的新技术正被研究和应用。为了更进一步提高光刻分辨率，延长光学光刻寿命，新型的光学光刻技术包括x 射线、离子束投影、无掩模、电子束投影和电子束直写等已被提出和研究。本文首先介绍了微纳制造中的传统光刻技术的一般工序，回顾了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。然后重点介绍了以准分子光刻技术、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、Ｘ射线光刻为代表的光学光刻技术的新发展；最后详细地介绍了下一代光刻技术——纳米压印的基本原理和工艺，以及几种典型的纳米压印技术和发展的新型纳米压印技术。 关键词：IC制造 光学光刻 纳米压印 光刻技术 光刻技术是集成电路的关键技术之一，在整个产品制造中是重要