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３. 稳压管构成的稳压电路 图中R为限流电阻，用来限制流过稳压管的电流。RL为负载电阻。 Ui R ＋ - ＋ - DZ RL ＋ - UO IR IL IZ UZ 正常稳压时 UO =UZ # 稳压条件: IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 若UI为正弦波，且幅值大于UZ ， UO的波形是怎样的？ 例1.2.2 已知 : UZ =6V, IZmin =5mA RL =600Ω 求限流电阻R的取值范围。 IZmax =25mA 解 据KCL: 据VCR: 据KVL: UR 据VCR: P22 限流电阻R的取114~267Ω范围内的标称值 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电阻（抗）元件的标称值： ——采用E数列作为作为电阻（抗）元件规格 E=6, 12, 24….. 1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.42.73.0 3.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.1 1.01.21.21.31.51.61.82.02.22.42.73.0 3.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.1 1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.42.73.0 3.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.1 允差 阻 值 系 列 电阻(抗)元件常用标称值系列 电阻(抗)元件常用倍率符号 因数 名 称 电阻 电容 电感 上表中数列×10n (n为正整数或负整数）组成各种规格标称值！ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 作业：1,1；1.3；1.6 ； 1.7 1.2.6 其他类型二极管 1. 发光二极管LED 2. 光电二极管 P25-27 - ID + - U1 - R D + UD 6V S 【例1.2.3】 已知：LED导通压降： （1）S处何位置LED有可能发光？ 发光正向电流： （2）为使LED发光，R的取值范围为多少？ 解 （1）S断开时，LED有可能发光。 （2）为使LED发光，R的取值范围为： 因为 限流电阻R的取220~880Ω范围内的标称值 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 1.3.1 基本结构及类型 1. 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下 2. 两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 1.3晶体三极管（双极型晶体管） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3. BJT的结构特点 ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 晶体管具有电流放大作用的内部条件： ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3. BJT的结构特点 ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 按材料：硅三极管、锗三极管 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 (国标)