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Chap0 绪 论 1.微电子器件工艺的发展分哪三个阶段 2.集成电路的制造可以分成三个阶段 3.人们通常以最小线宽（或称特征尺寸）、硅晶圆片的直径和动态随机存储器的容量，来评价集成电路制造工艺的发展水平。 Chap 1 硅的晶体结构 2. 金刚石结构特点 3.面心立方晶体结构是立方密堆积，（111）面是密排面。 6.晶体中的缺陷有几种 7.固溶体，固溶度 8.按溶质在溶剂中存在形式固溶体分为  12.分凝现象，分凝系数 13.杂质再分布的四种可能：图 Chap3 3.杂质在硅晶体中的扩散机构主要有哪两种？ 5.菲克第一定律认为，如果在有限的基体中存在杂质浓度梯度，则杂质将会产生扩散运动，而且杂质的扩散方向是使杂质浓度梯度变小。 6.扩散方式有哪两种？ 7.什么是恒定表面源扩散，有限表面源扩散，各自杂质分布形式的特点？ 8.什么是两步扩散？各步方式和目的？ 10.什么是发射区推进效应，氧化增强扩散 15.什么是扩散的均匀性和重复性？ Chap4 离子注入工艺 3. LSS理论:注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程: 4.核碰撞和电子碰撞 5.沟道注入 6.轻离子，重离子注入损伤区的分布 7.热退火 Chap5 物理气相沉积 1.PVD概念，分类； 5.溅射概念，其基础是什么； Chap6 化学气相淀积 1.化学气相淀积定义 2. CVD的基本过程(包括5个步骤,满足7个条件) 3.边界层 4. Grove模型认为制薄膜淀积速率的两个环节是什么 5.CVD薄膜淀积速率与温度以及气体流速的关系 9.气缺现象， Chap7 外延 4.外延薄膜的生长模型 5.影响外延生长速率的主要因素 6.扩散效应，自掺杂效应 7.低压外延作用 Chap8 光刻工艺 2.光刻的目的 3.光刻三要素 4.光刻的原理 5.光刻工艺流程（各个步骤定义、目的及方法） 10.抗反射涂层工艺 定义，作用 14.邻近效应 16.湿法刻蚀,干法刻蚀，各自特点 17.干法刻蚀分类，各自原理 第九章 金属化与多层互连 4. AL/Si接触中的尖楔现象 5.电迁移现象 7.金属Cu的淀积技术 8.多晶硅栅具有什么特性 10.平坦化方法，目前普遍采用的一种局部平坦化技术和全面平坦化的技术是 Chap 10 工艺集成， Chap11 后工艺 ， Chap 12 器件的可靠性测试 2.ＭＯＳ集成电路中的隔离 3.双极型集成电路中的隔离 4.双阱ＣＭＯＳ　ＩＣ工艺流程 5.标准埋层双极集成电路工艺流程 6.主要的后工艺及其目的 7.器件的可靠性包括哪两个方面 8.研究可靠性目的 * * Chap2 氧化 1.SiO2结构：Si-O四面体 2. SiO2膜用途 3.按杂质在二氧化硅网络中所处的位置可以分类哪两类？ 5.热氧化二氧化硅制备方法，厚膜制备方法？ 6.热氧化经历步骤 7.热氧化过程中的扩散控制和表面化学方应控制 8.氧化时间与氧化速率的关系 9.决定氧化速率常数及它们和氧化速率的关系： 氧化剂分压——线性关系 温度——指数关系 * *