第一章半导体中的电子态精选.pptVIP

1.3.3 半导体中电子的加速度 半导体中电子的加速度： 半导体器件在外加电压下工作，在半导体内部形成电场，外加电场作用在电子上的作用外力为f，电子同时受到半导体原子核和其它电子的作用。在外力f的作用下，电子位移ds，根据动能定理 在外力作用下，波矢k不断改变，k不断变化，V不断变化，产生加速度 1.3.3 半导体中电子的加速度 速度： 有效质量 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 本征半导体：n=p=ni 价带顶部激发电子到导带相当于共价键上缺少一个电子而出现一个空位置，而在晶格间隙出现一个导电电子。 空状态带有正电荷，叫“空穴”。空穴能导电，具有有效质量。 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 通过价键模型对载流子进行解释 通过能带模型对载流子进行解释 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 空态出现在能带顶部A点，除A点外，所有K状态均被电子占据。 在外电场作用下， 电子的k态不断随时间变化，在电场作用下所有电子都以相同的速率向左运动。 当价带有一个空穴时，价电子的总电流，等于一个带正电的空穴以与电子相同的速度运动时所产生的电流。 把价带中空着的状态看成是带正电的粒子，称为空穴 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 1.5各种半导体的能带结构 K空间的等能面 在一维空间，能带的极值发生在设k=0 处，则 导带低附近 价带顶附近 三维空间：k2=kx2+ky2+kz2 能带极值在K0处 1.5各种半导体的能带结构 各向同性的晶体，等能面是一系列的球面 晶体大部分是各向异性的，不同方向的有效质量不 同，等能面是椭球面。 1.5各种半导体的能带结构 1.6硅、锗的能带结构 Ge： [111]能谷为导带底 Eg=0.67eV Si： [100]能谷为导带底 Eg=1.12eV 价带： 1. 价带的极大值出现在布里渊区中心K=0处 2. K=0处，价带的极大值相重合的两个价带，表明硅、锗 有两种有效质量不同的空穴-重空穴(mp)h和轻空穴(mp)l,价带还有第三个能带，但这个能带离开价带顶，所以一般只对前量个能带感兴趣。 3.硅： (mp)h=0.53m0 , (mp)l=0.16m0, (mp)3=0.245m0 锗： (mp)h=0.36m0, (mp)l=0.044m0 (mp)3l=0.077m0 导带： 1、不同导带的极小值出现在布里渊区的不同位置，Ge的导带极小值位于布里渊区的L点，布里渊区与111轴的交点 Si,Ge晶体的第一布里渊区 禁带 硅：Eg=1.12eV, 间接带隙半导体 锗：Eg=0.67eV, 间接带隙半导体 室温 Eg随温度增加而减小 硅 锗 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体能带结构的基本特征 1、价带在布里渊区中心是简并的，具有一个重空穴带、一个轻空穴带和一个由于自旋-轨道耦合而分裂出来的第三个带。但价带的极大值不是恰好在布里渊区中心，稍许有所偏离。 2、各种化合物导带结构有所不同，在[100]、[111]和布里渊区中心都有导带极小值，但最低的极小值所处的位置不同。 3、各种化合物的导带电子有效质量不同 4、各种化合物的禁带宽度不同 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 锑化铟(InSb)能带结构 1、导带极小值在K=0处，有效质量小，随能量增加，有效质量迅速增加。 2、价带包含三个能带，重空穴的极大值稍许偏离布里渊区中心，自旋-轨道耦合裂距约0.9eV. 3、禁带宽度0.18eV, 近似直接带隙半导体 砷化镓（GaAs)能带结构 1、导带极小值位于布里渊区中心?，等能面是球面，导带底电子有效质量为0.067m0。在L和X点还各有一个极小值，电子的有效质量分别为0.55m0和0.85m0. ?,L,X三个极小值与价带顶的能量差分别为1.424eV,1.708eV,1.90eV。 2。有三个价带，重空穴的有效质量 0.45m0,轻空穴的有效质量0.082m0, 第三个能带的裂距0.34eV. 3、禁带宽度1.424eV,直接带隙半导体。 磷化镓(GaP)能带结构 1、导带极小值不在布里渊区中心，而在[100]方 向，导带底电子有效质量为0.35m0。 2、有三个价带，价带极大值位于布里渊区中心， 重空穴的有效质量 0.86m0,轻空穴的有效质量 0.14m0, 3、禁带宽度2.2