6.实际位错组态及观测.pptVIP

中南大学 柏振海 1.12 实际晶体中的位错组态 实际晶体中位错的柏氏矢量 FCC全位错原子排列示意图 实际晶体中位错的柏氏矢量 柏氏矢量可用数字及符号表示 实际晶体中位错的柏氏矢量 柏氏矢量可以相加 密排六方的堆垛次序 面心立方的堆垛次序 层错 fcc晶体密排面堆垛顺序为ABCABC……以“Δ”表示AB、BC、CA……次序，用“▽”表示相反次序，即BA、CB、AC…… 层错 若在fcc中抽走一层C，则 抽出型层错 CA层堆垛次序被破坏出现了层错，相当于C层（111）原子面垂直下落一个面间距，使C层原子落在B层位置上，形成了A和C层原子的弯曲晶面 插入型层错 如果在正常堆垛顺序中插入一层A原子，即出现两层原子发生错排，称为“插入型层错” 层错 某些金属和合金的层错能 倾斜堆垛层错的电镜照片 不全位错 面心立方晶体（-110）晶面的二维图形 肖克莱（Shockley）不全位错 fcc晶体的（-110）面，使A层以上原子相对于C层作滑移，使A→B→C→A→B，此时滑移是不均匀的，即滑移中止在晶体内部，这样就在局部地区形成层错。其与完整晶体的交界区域即为Shockley不全位错 肖克莱不全位错 M点右侧为完整晶体，密排面堆垛顺序为ABCABC…… 肖克莱不全位错 肖克莱位错的柏氏回路与柏氏矢量 肖克莱不全位错特征 （3）可滑移，不能攀移，即可在具有堆垛层错的{111}面上滑移，引起层错面的扩散或收缩，但不能离开层错面 弗兰克（Frank）不全位错 fcc晶体中插入或抽走一层（111）面，就会形成堆垛层错 弗兰克不全位错 面心立方中的正弗兰克位错 面心立方中的负弗兰克不全位错 弗兰克位错 正弗兰克位错可由填隙原子聚集成园盘而形成 面心立方晶体中的几种位错特点 位错反应与扩展位错 位错反应 位错反应 位错反应 位错反应 1953年汤普森（N. Thompson）引入参考四面体和一套标记来描述fcc金属中位错反应 汤普森符号与参考四面体展开 汤普森符号与四面体 图中四面体的六个棱AB、DC……为全位错的柏氏矢量110 汤普森符号与四面体 可以方便判断位错反应，如DA→Dγ + γA bcc中位错反应 bcc中全位错也可分解为两个不全位错 hcp中位错反应 hcp中（0001）面与fcc中{111}面结构相同，在hcp中（0001）面也可形成扩展位错 hcp中位错反应 2．扩展位错 或者说一个全位错分解为两个肖克莱不全位错，中间夹着一片层错，它们组合在一起，叫“扩展位错” 扩展位错 扩展位错 扩展位错 扩展位错 面心立方晶体扩展位错的形成 扩展位错中两个不全位错的交互作用 面心立方晶体扩展位错的形成 fcc晶体中的位错在外加切应力作用下，b1位错在（111）[1，0，-1]滑移系在B层与C层之间滑移，晶面上的原子则需从C到C‘进行位移，有两种途径 面心立方晶体扩展位错的形成 另一个是把这个过程分成两个步聚进行，即先从C位置沿一低谷滑到邻近的A位置，再从A位置沿另一低谷滑到C′位置，相当于肖克莱不全位错的滑动 扩展位错 全位错滑移柏氏矢量值为a[-110]/2，位错滑移过的区域内滑移面（假设为A位置）上方的原子从B位置仍然进入B位置，点阵排列没有变化，不存在层错现象 扩展位错宽度 滑移过程可以表示为：b1=b2+b3+层错， 即(a/2)·[10-1] → (a/6)·[11-2] +(a/6)·[2-1-1] 面心立方晶体中扩展位错平衡宽度的计算 b2与b3成60℃，设全位错与其b夹角为θ，两个不全位错夹角分别为-（θ-π/6）及θ+π/6，θ任意 面心立方晶体中扩展位错平衡宽度的计算 设单位长度位错线之间层错能量U，则层错表面张力F2 扩展位错宽度 扩展位错的宽度与金属的比层错能γ成反比，γ大则不易形成扩展位错，反之则易形成扩展位错 金属层错能的数据 不锈钢扩展位错 位错的束集（constriction） 肖克莱不全位错只能滑移，不能脱离层错面攀移，故扩展位错亦如此 扩展位错的束集 扩展位错的束集 在(-111)面上有一个由a[12-1]/6和a[211]/6两个不全位错当中夹个层错区所组成的扩展位错 扩展位错的束集 在金属中，层错能越低，层错宽度就越大，就越不容易产生束集，越难产生交滑移 4．铃木气团 溶质原子与扩展位错之间会发生化学交互作用，产生铃木气团 Lomer反应 C1、C2分别代表处于{111}面平行于BC的位错线 Lomer反应--fcc晶体中一种很重要的位错反应 Lomer- Cottrell反应 Cottrell指出，层错能不变时，C1、C2又各自分解为扩展位错 Lomer- Cottrell位错形成过程 Lomer-Cottrell反应 当每个位错中的一个不全位错达到交截线BC时，合并并位于BC上 压