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项目一 常用半导体器件基础知识 任务1-1 二极管的特性与测试 任务1-2 三极管的特性与测试 任务1-3 场效应管的特性与测试 任务1-4 其他常用半导体器件与测试 　任务1-1 半导体的基础知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的特点 热敏性 光敏性 掺杂特性 一、分类 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.1　本征半导体结构示意图 1、本征半导体的晶体结构 存在电子和空穴载流子是半导体导电的一个重要特征 2、杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型 半导体 P 型 半导体 在本征半导体中掺入少量的 5 价杂质 元素，如磷\砷等，即构成 N 型半导体.因为多数是电子，所以称电子型半导体。 在本证半导体中掺入少量的 3价杂质元素，如硼、铟等，即构成 P 型半导体。因为多数是空穴，所以也叫空穴半导体。 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 　PN 结的形成 一、PN 结的形成 3、PN结 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 　耗尽层 V R I P N 任务1.2.2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 开启电压：0.5V 导通电压：0.7 一、伏安特性 锗二极管2AP15的伏安特性 Uon U(BR) 开启电压：0.1V 导通电压：0.2V 二、 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率fM (5) 极间电容Cj 在实际应用中，应根据管子所用的场合，按其所承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。 任务1-1-4 半导体二极管的应用电路 1.限幅电路 2.整流电路 D Tr u1 RL u2 ＋UL － 二极管半波整流电路 ＋u －u D A U＋ F 二极管钳位电路 R uO ui D1 D2 二极管限幅电路 (1) 稳定电压UZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)温度系数——?VZ 任务1-4 其他常用半导体器件与测试 二、稳压管的主要参数 任务1-2 三极管的特性与测试 1三极管的结构组成 两种结构 NPN PNP 2三极管的工作原理 1、三级的电压特点及怎么区分？ 2、电流放大倍数 3 三极管的伏安特性 1、三个工作区域 2、主要参数 图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 一.　晶体管的结构及符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.2?　三极管结构示意图和符号　(b)PNP 型 b e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 晶体管实现放大的外部条件是：发射结正偏 Ube0 集电结反偏 Ucb0 因为 Uce=Ucb+Ube 所以 UcUbUe 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　 2. 扩散到基区的自由电子与空 穴的复合运动形成基极电流　 　 晶体管内部载流子的运动 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic 　 例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=1