LED安装焊接注意事项.解析.ppt

壹、LED光电特性分级 10.温度条件: 操作温度(Operating Temperature) T opr: -40℃～80℃ 保存温度(Storage Temperature) T stg :-40℃～85℃ 焊接温度(Soldering Temperature) T sol: 260℃(for 5 seconds) 贰.驱动条件之设定 叁.安装焊接注意事项 肆. SMD 产品组装注意事项 1.高湿敏性SMD LED 贴片除湿 : 1.1. 建议未拆封前储存条件:5℃-30 ℃,最大相对湿度60%. 1.2. 袋子开封后,组件若将进行红外线回焊、气相回焊、或类似的焊接处理,必须在 : a. 24小时内完成焊接工作. b. 储存低于30%RH. 1.3. 假如不符合2a或2b的条件,则组件必须烘烤. 烘烤条件为:60 ℃±3 ℃,12小时. 6。硅胶封装LED，PPA塑胶料会吸取湿气,若环境中存在一些腐蚀性物质（如S）物质容易造成内部框架镀银层氧化变色。应特别注意远离这样物质和环境。 伍。ESD防护注意事项 当LED芯片两个电极之间受到一个感应或者传导电能，积累到一定程度后，这个反向（一定是反向的）的能量就能在LED两个电极之间迅速将LED芯片两个电极层之间最近（电阻最低的路径）的路径，以极高的功率密度作用在芯片的PN结上，而在芯片内部烧成一个‘坑’， （因瞬间高压而产生的焦耳热量瞬间温度达到1400度以上），若LED有被静电损害,会显示一些显在的潜在的不良特性,如漏电流增加,静态顺向电压降低或上升/在低电流测试不亮或发光不正常(偏暗). 三.LED ESD被动防护(内置齐纳管作用与原理) LED 正负极间反向并接一个二极管， 报告完毕 一. LED 受ESD破坏后电性情况 单向导通是LED特性，在电性测试时反向电流（漏电流IR）是衡量LED好坏项目之一，反向电压5V时IR小于5uA，当LED被静电击损后反向漏电电流会很大，甚至接近短路（约10-30欧姆） ， LED被静电击损后可以通过测试IR项目检出。 被静电击伤的芯片 二.单焊点普通LED与氮化物LED ESD差别 镓磷（GaP）红色LED禁带宽为2.24Ev 镓磷（GaP）黄绿色LED禁带宽为2.24eV 、 镓砷磷（GaAsP）黄色LED/橙色LED/红色LED禁带宽为1.4-2.26ev， 以上化合物半导体禁带宽较小（电子及电洞之移动较快），PN 结易掺杂低阻性材料，其导电性能较好，静电是电荷慢慢积累过程，因导电性能较好静电容易释放掉，故以上化合物半导体制成LED抗静电能力会好一些。 1.普通二极管ESD特性 2.双焊点蓝绿二极管ESD特性 绿色、蓝色LED 为镓氮（GaN） ﹑硅碳（SiC）等半导体制成其禁带宽3.3eV，比红色、橙色、黄色LED材料大50%左右， 因电子电洞移动较难电阻率较高。该类芯片静电产生的感生电荷不易消失，累积到相当的程度，可以产生很高的静电电压。 再加上这一类LED的衬底是用高阻值的蓝宝石（ Al2O3 ）其导电性和导热性都很差。 蓝宝石Al2O3衬底的LED的PN结电极是V型电极（俗称双电极型），电极之间的距离300μm，一旦积累了感应的静电电荷，很容易在该处发生自激放电。 对于InGaN/AlGaN/GaN 双异质结，InGaN的发光启动层较薄仅几十纳米，对静电的承受能力很小，因此静电放电中该层更容易被击穿。 InGaN 蓝宝石Al2O3衬底 氮化铝镓成长层 氮化镓成长层 N电极 P电极 ITO保护层 以SiC为衬底的InGaN材料，基本上是单电极型电极结构，其抗静电电压机械模式达到600V以上，人体模式下高达5000V。而一般以Al2O3为衬底的LED器件通常是V型电极，其抗静电电压机械模式下仅为为400V左右或者更低。 h = 250 μm N电极 P电极 由于齐纳管反向电压高于 LED 正向电压，LED正向工作电压下，电流在ZD处属截止状态，从LED流过，LED正常工作。 当LED反向有反向电压存在时（超过齐纳导通电压），电流由齐纳管正向导通排泄掉，使反向施加在LED端的电压永远小于LED承受反向电压范围内。 因齐纳管长期处于导通状态，由于静电产生时没有积累的过程，所以LED，随时处于放电状态，不受静电破坏。 ZD 齐纳 Zener 二极管相关参数 单向 双向 加齐纳二极管和未加 纳二极管数据表 四.防静电的注意事项： 1.所有接触LED设备及仪器必须接地良好,特别焊接的烙铁及锡炉必须接地良好。要定期检查接地的通路。 0 . 000 Hz ℃ ℉ uA mA V Ω A 10 A uAmA COM V Ω 电源插座 220 V 黑表笔接人体 黑表笔接大地墙 黑表笔接电源接地