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大规模集成电路工艺复习题成都理工大学工程技术学院日期：2014年10月10日姓名：孟照伟一填空1.硅晶胞的结构是金刚石结构，结构特点是两套面心立方格子沿体心对角线位移四分之一长度套构而成，一个一个硅晶胞中的原子数为8个（ 8*1/8+6*1/2+4=8）。2.多晶硅按纯度分类可以分为冶金级硅（工业硅）、太阳能级硅、电子级硅。其中电子级硅主要用于半导体芯片制造。3目前世界上的多晶硅生产工厂主要采用两种方法制备多晶硅。一种是硅烷法：另一种是改良西门子法。4.单晶硅生长常用（直拉法）和（区熔法）两种生长方式。5直拉法生产单晶硅的工艺过程中，生长阶段包括引晶-缩晶-放肩-等径生长-收尾6晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。7.在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。8SiO2按结构特点可以分为结晶形SiO2和无定形SiO2。9在无定型SIO2中，与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧称为桥键氧，只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧称为非桥键氧，结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在。10.硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。根据氧化剂的不同，分为干氧、湿氧、水汽氧化三种氧化方式。11.在集成电路工艺中，我们把将所需的杂质，以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布称为掺杂，它的目的是改变半导体的电特性。12.在扩散工艺中，按杂质扩散进入硅片后的分布形式分类：可分为恒定表面源扩散分布 (余误差分布)和有限表面源扩散分布(高斯分布)13、如果所示，在扩散机制中，存在两种杂质，其中杂质原子半径较小的为间隙式杂质，杂质原子与本体原子电子壳层和价电子数接近，半径大小相当的为替位式杂质14杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。15集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散）和（离子注入）两种。在目前生产中，扩散方式主要有两种：恒定表面源扩散和（有限表面源扩散）。16目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。17缩略语PECVD、LPCVD、和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、和（常压化学气相淀积）。18在集成电路工艺中，我们把离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质叫做离子注入，但是这种工艺会带来晶格损伤，需要进行热退火。19在集成电路工艺中，利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。称为物理气相淀积，它的两种工艺方法为蒸发和溅射。20在物理气相淀积蒸发工艺中，多组分薄膜的蒸发方法根据蒸发源的不同可分为单源蒸发法，多源同时蒸发法以及多源顺序蒸发法。21光刻就是将掩膜版上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感的薄膜材料上去的工艺过程。光刻三要素为掩模版，光刻胶和曝光机22在光刻胶的选择中，曝光部分被溶解，非曝光部分保留，选取正胶,非曝光部分被溶解，曝光部分保留,选取负胶23，在光刻工艺中，掩膜版的衬底材料为熔融石英，淀积在衬底材料上的一般为铬，通过溅射淀积得到。24在刻蚀工艺中，把硅片放在化学腐蚀液里，有选择地去除表面层材料的过程称为湿法刻蚀，把硅片放在气体等离子体中，有选择地去除表面层材料的过程称为干法刻蚀。25刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。26湿法刻蚀是各向同性刻蚀，用化学方法，不能实现图形的精确转移，适用于特征尺寸≥3μｍ的情况，干法刻蚀是各向异性刻蚀，用物理和化学方法，能实现图形的精确转移，是集成电路刻蚀工艺的主流技术。27在光刻技术的常见问题中，把显影或刻蚀时，硅片表面胶膜大面积起皱甚至脱落现象称为浮胶，残留在光刻窗口上局部细小的二氧化硅层，并导致后续扩散或离子注入导致PN结不平坦，影响器件性能的情况称为小岛，胶膜不完整，在光刻窗口以外的二氧化硅层上产生细小孔洞，造成不应掺杂的区域也有杂质扩散进去情况称为针孔。28在集成电路的分类中，根据载流子的不同进行分类，其中参与导电的载流子既包括电子也包括空穴称为双极型集成电路，参与导电的载流子只有电子或者空穴称为MOS型集成电路。29在mos器件中，参与导电的载流子为电子的称为NMOS参与导电的载流子为空穴的为PMOS30在集成电路封装工艺中，按照器件与电路板的互