(精)大规模集成电路基础——最新.pptVIP

* * * * * * * 3.4 影响集成电路性能的因素和发展趋势 有源器件 无源器件 隔离区 互连线 钝化保护层 寄生效应：电容、有源器件、电阻、电感 * 3.4 影响集成电路性能的因素和发展趋势 器件的门延迟： 迁移率 沟道长度 电路的互连延迟： 线电阻（线尺寸、电阻率） 线电容（介电常数、面积） 途径： 提高迁移率，如GeSi材料 减小沟道长度 互连的类别： 芯片内互连、芯片间互连 长线互连(Global) 中等线互连 短线互连(Local) * 门延迟时间与沟到长度的关系 * * 减小互连的途径： 增加互连层数 增大互连线截面 Cu互连、Low K介质 多芯片模块（MCM） 系统芯片（System on a chip） 减小特征尺寸、提高集成度、Cu互连、系统优化设计、SOC * 集成电路芯片中金属互连线所占的面积与电路规模的关系曲线 * 互连线宽与互连线延迟的关系 * 互连技术与器件特征尺寸的缩小 （资料来源：Solidstate Technology Oct.,1998） * 集成电路中的材料 * 小结 Bipolar： 基区(Base)，基区宽度Wb 发射区(Emitter) 收集区(Collector) NPN，PNP 共发射极特性曲线 放大倍数?、? 特征频率fT * 小结 MOS 沟道区(Channel)，沟道长度L，沟道宽度W 栅极(Gate) 源区/源极(Source) 漏区/漏极(Drain) NMOS、PMOS、CMOS 阈值电压Vt，击穿电压 特性曲线、转移特性曲线 泄漏电流(截止电流)、驱动电流(导通电流) * 小结 器件结构 双极器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS反相器的工作原理 IC：有源器件、无源器件、隔离区、互连线、钝化保护层 * * * 晶体管-晶体管逻辑 (TTL)---速度和延迟功耗提高 发射极耦合逻辑 (ECL)----器件只工作在截止区和线性区，不进入饱和区，是非饱和型逻辑电路。速度快、逻辑功能强、抗辐射性能好，但功耗大。 集成注入逻辑 (I2L)----集成密度高、功耗低、功耗延迟积小、成本低，可制作高性能、低成本的数字/模拟兼容集成电路。 * 高速、低功耗和高集成密度（门/mm2)是数字集成电路所追求的三个主要目标 * 3.2.1 集成电路中的双极晶体管 3.2.2 双极数字集成电路 3.3.3 双极模拟集成电路 * 双极模拟集成电路 一般分为： 线性电路（输入与输出呈线性关系）：运算放大器、直流放大器、音频放大器、中频放大器、宽带放大器、功率放大器、稳压器等。 非线性电路：对数放大器、电压比较器、调制或解调器、各类信号发生器。 接口电路：如A/D转换器、D/A转换器、电平位移电路等 * 3.1 半导体集成电路概述 3.2 双极集成电路基础 3.3 MOS集成电路基础 * 3.3 MOS集成电路基础 以MOS场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。 CMOS具有功耗低、速度快、噪声容限大、可适应较宽的环境温度和电源电压、易集成、可等比例缩小等一系列优点，CMOS技术的市场占有率超过95%。 3.3.1 集成电路中的MOSFET 3.3.2 MOS数字集成电路 3.3.3 CMOS集成电路 * 3.3.1 集成电路中的MOSFET MOSFET 按沟道导电 类型：PMOS/NMOS/CMOS 按栅极材料分类：铝栅和硅栅 * CMOS由PMOSFET和NMOSFET串联起来的一种电路形式。 为了在同一硅衬底上同时制作出P沟和N沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分别形成N型和P型区域，并在N型区域上制作PMOSFET，在P型区域上制作NMOSFET。 * 基本电路结构：CMOS * 3.3.1 集成电路中的MOSFET 3.3.2 MOS数字集成电路 3.3.3 CMOS集成电路 * MOS开关与反相器是MOS数字集成电路的基本单元，数字电路中的任何复杂逻辑功能均可分解为“与”“或”“非”操作。 1.MOS开关 MOSFET处于大信号工作时，有导通和截止两种状态，因此可作为电子开关。 上拉开关 下拉开关 传输门 * I为输入端，接驱动信号 O为输出端，接容性负载 G为控制端，接控制信号 当控制端加上一个足够高的固定电压，在稳定情况下，直流输出电压Vo与直流输入电压VI的关系为MOS直流传输特性 Vo=VI 非饱和