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[材料第六章扩散

第六章 扩散 虽然式(6.9)是从简单立方结构晶体的扩散推导得来的,但它也同样适用于其他固溶体的扩散,只是扩散系数将作相应的调整。若体心立方及面心立方结构的点阵常数为“,则相邻两原子面间距为“/2,每次跳动原于移动的距离对于体心立方为点“/2,对于面心立方为瓜/2,但它们有效跳动距离均为“/2,而有效跳动几率对于体心立方为4/8,对于面心立方为4/12。所以可以采用上述的方法求出F5ck第一定律,并求出扩散系数D。对于体心立方结构,有 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.硅晶片的掺杂扩散 将杂质扩散进入硅晶片以改变其导电特性是生产现代集成电路的一个重要环节。具体的方法是将硅晶片放在温度约为1100℃的石英炉中,并使其表面暴露在适当杂质蒸气中,硅晶片表面不希望渗入杂质的部分必须遮住。与钢制零件的气体渗碳一样,扩散进入硅表面的杂质浓度随着离表面深度的增加而减小,改变扩散时间也会改变杂质的浓度分布。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 式(6.29) 为Darken公式,推导时假设在扩散过程中,点阵常数不变,晶体中各点的密度不变,横截面的面积不变。但是,实际情况与这些假设是不完全相同的,扩散后浓度要发生变化,因此,点阵常数也要发生变化。扩散过程常在低熔点金属的一边形成分散的或集中的空位,其总数超过平衡空位浓度;而另一边的空位浓度将减少至低于平衡空位浓度,因此,也改变了晶体的密度。试验中还发现试样的横截面同样发生了变化,例如Ni-Cu金属对经扩散后,在原始分界面附近铜的横截面由于丧失原子而缩小,镍的横截面由于得到原子而膨胀,如图6.9所示。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 从Kirkendall的宏观效应可以推论扩散的微观机制,也就是说扩散过程是扩散原子与空位换位的机制。在原子扩散流的反方向存在有空位的流动,如有Kirkendall效应现,说明存在一个净空位流,其流动方向与界面的移动方向一致。这一扩散机制一方面要求有产生空位的源,另一方面又要求有吸收空位的可能。而金属晶体内部位错的存在,可以提供空位源,由于热力学上的不平衡,可以促使原子与空位的交换,从而导致空位的流动 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 20

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