[第六章半导体存储器.pptVIP

东北大学信息学院 静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变； 动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电。 称为刷新。动态存储器都为MOS型。 按工作特点不同： 分成只读存储器、随机存取存储器。 地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有十个地址输入端，那它就能存210=1024个字。 2、存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 ROM按存储内容的写入方式，可分为固定ROM,可编程序只读存储器，简称（PROM)和可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM)。 固定ROM：在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。 6.2.1 固定只读存储器(ROM) 位线与字线之间逻辑关系为： D0=W0+W 1 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W3 存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。 6.2.3 可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra—Violet Ereasable Programmable Read－Only Memory) 电可擦除可编程存储器E2 PROM (Electrical Ereasable Programmable Read－Only Memory) 快闪存储器(Flash Memory)等。 [例6-1]试用ROM设计一个能实现函数y=x2的运算表电路,x的取值范围为0~15的正整数。 解：因为自变量x的取值范围为0~15的正整数,所以应用4位二进制正整数,用B=B3B2B1B0表示,而 y的最大值是=225,可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。根据y=x2的关系可列出 Y7、 Y6、Y5、Y4、Y3、Y2、Y1、Y0 与B3、B2、B1、B0之间的关系如表6-2所示。根据表6-2可以写出Y的表达式： Y7=∑（12，13，14，15） Y6=∑（8，9，10，11，14，15） Y5=∑（6，7，10，11，13，15） Y4=∑（4，5，7，9，11，12） Y3=∑（3，5，11，13） Y2=∑（2，6，10，14） Y1=0 Y0=∑（1，3，5，7，9，11，13，15 ） 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 6.3 随机存取存储器 随机存取存储器RAM（Random Access Memory）可随时从任一指定地址存入（写入）或取出（读出）信息。 在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。RAM分为静态RAM和动态RAM；静态RAM又分为双极型和MOS型。 6.3. 2 动态RAM 动态RAM与静态RAM的区别在于：信息的存储单元是由门控管和电容组成。用电容上是否存储电荷表示存1或存0。为防止因电荷泄漏而丢失信息，需要周期性地对这种存储器的内容进行重写，称为刷新。动态MOS存储单元电路主要是三管和单管结构。 6.3.3 集成RAM简介 图6-14是Intel公司的MOS型静态2114的结构图。1024×4位RAM。可以选择4位的字1024个。采用X、Y双向译码方式。4096个存储单元排列成64行×64列矩阵，64列中每四列为一组，分别由16根Y译码输出线控制。即每一根译码输出线控制存储矩阵中四列的数据输入、输出通路，读写操作在 （读/写信号）和 （选片信号）的控制下进行。 6.3.4 RAM的扩展 RAM的种类很多，存储容量有大有小。当一片RAM不能满足存储容量需要时，就需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。 1. 位扩展 字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。 图6-15是用4片256×1位的RAM扩展成256×4位的RAM的接线图。 2.字扩展 在RAM的数据位的位数足够，而字数达不到要求时，需要进行字扩展。字数增加，地址线数就得相应增加。如256×8位RAM的地址线数为8条，而1024×8位RAM的地址线数为10条（接线见图6-16）。 实现字扩展的原则是： ①多个单片RAM的I/O端并接，作为RAM的I/O端 . [例6-1] 试用1024×4位RAM实现4096×8位存储器。 解：