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Fab厂常用术语 some phrases and words in FAB cleanroom system* p% H- r+ B* Y: v9 M! V8 }A.M.U 原子质量数 6 I9 c6 c* E$ a7 i1 PADI After develop inspection显影后检视 ! n( \+ q8 _% g zAEI 蚀科后检查 % Y4 _+ @7 ^% v9 U, gAlignment 排成一直线，对平 7 B: R) M; B??R# i5 d??]Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 6 U% l4 N: D2 j. N+ ^ARC： anti-reflect coating 防反射层 / p G. x f+ H. h5 U Z% z TASHER: 一种干法刻蚀方式 8 `/ K! y( ]2 M. r1 DASI 光阻去除后检查 0 | M??@6 ~2 \- K. V( wBackside 晶片背面 ??F* L2 Y. @! {: i2 t4 tBackside Etch 背面蚀刻 8 |! f9 Z) _4 ^4 I6 a. k2 J8 mBeam-Current 电子束电流 . n7 G0 @( u! J: q2 L6 LBPSG: 含有硼磷的硅玻璃 / | \0 ` u% J iBreak 中断，stepper机台内中途停止键  L0 G2 @$ V8 L% k0 B8 oCassette 装晶片的晶舟 7 p/ t# m) F- p oCD：critical dimension 关键性尺寸 ! V) p, P, ~??F y Q: _Chamber 反应室 7 P) \: K i7 l0 C3 O5 T0 uChart 图表 , p5 J5 ~+ y??e- [??`0 CChild lot 子批 # l# h??|; [1 c8 z- ?Chip (die) 晶粒 P- |! p0 {0 I B$ o) _CMP 化学机械研磨 , U( a l% g- i0 E1 H* ^Coater 光阻覆盖（机台） 7 S; y8 |% ~% ~ ACoating 涂布，光阻覆盖 ! E+ F @ B) a5 X( O; \Contact Hole 接触窗 1 r ^0 \??b/ lControl Wafer 控片  [2 B- f# T S* ^: yCritical layer 重要层 3 ?+ P) `$ ^% ] C0 FCVD 化学气相淀积 # \3 U/ J M7 e) MCycle time 生产周期 4 B l9 M# {* h; Z) I! GDefect 缺陷 ! e) e) j% b) L YDEP: deposit 淀积 - w) i7 q4 x; [( jDescum 预处理 % u$ j$ I6 Z* J3 g/ jDeveloper 显影液；显影（机台） ??B8 X2 V* X. l6 H1 G% rDevelopment 显影 4 b1 O* K9 h; Q [# x5 eDG: dual gate 双门  X3 q* t??u zDI water 去离子水 5 w/ j8 ^1 F4 R7 qDiffusion 扩散 @+ W ~# Q; Q4 J0 j i h9 k; |; cDoping 掺杂 4 j6 ` H f, k8 R8 oDose 剂量 # S8 ~ ~5 H8 Q- hDowngrade 降级 0 z2 Z* K, {$ y d! aDRC: design rule check 设计规则检查 8 }: W( O* n8 z/ dDry Clean 干洗 * E i) F0 ^, A4 rDue date 交期 # q( r: Q! ^0 a( s. N+ uDummy wafer 挡片 5 W. W k2 r. @ K/ r7 O3 @: JE/R: etch rate 蚀刻速率 5 w: G+ i??|# HEE 设备工程师  P: u2 u t, l z# K$ C `2 F, W9 q sEnd Point 蚀刻终点 8 I2 T1 ]; m/ z$ l( xESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ( N4 r e: G$ r+ ~+ T- ~* n) i7 vET: etch 蚀刻 0 c8 r! S7 R ^% ~ l; |/ zExhaust 排气（将管路中的空气排除） + F, a6 n+ ^( c, i/ j7 zExposure 曝光