07章-III-V族化合物半导体的外延生长摘要.pptVIP

电化学原子层外延(ECALE)技术 基本原理与特点 电化学原子层外延(ECALE)是电化学沉积和原子层外延技术的结合，化合物组分元素的原子层在欠电位条件下进行循环交替沉积，从而直接生成化合物。该方法最先由Stickney提出，其基本流程如下图： 溶液池 流通池 恒电位仪 ECALE的表面限制反应是欠电位沉积(UPD)。欠电位沉积是指一种元素可在比其热力学可逆电位正的电位下沉积在另一种物质上的现象。这是由于沉积原子以某种方式与衬底发生作用，以致与衬底直接接触的那一层原子的沉积电位出现在自身元素上沉积所需电位之前。 理论上，在UPD电位下，在沉积了一层① 原子的衬底上沉积一层②原子，如图2(左)所示。 化学原子层外延(ECALE)技术的基本原理原子层外延生长的原理是利用表面限制反应逐次地形成沉积物的原子层，由一个个原子层相继交替沉积而形成的薄膜将成为外延的二维生长。如果将表面限制反应推广到化合物中不同元素的单原子层沉积，并让各元素单原子层的相继交替沉积组成一个循环，则每个循环的结果是生成一个化合物单层，而沉积层的厚度由循环次数决定。 电化学原子层外延(DCALE)通过对欠电位沉积和原子层外延技术的结合，融合了二者的优点，具体如下： (1)一般使用无机水溶液，避免了碳污染。 (2)工艺设备投资较小，降低了制备技术的成本。 (3)可以沉积在设定面积或形状复杂的衬底上。 (4) 不需要使用有毒气源，对环境不造成污染。 (5)它是一层接一层的生长，避免了三维沉积的发生，实现了原子水平上的控制。 (6)它将化合物的沉积拆分为各组分元素原子沉积的连续步骤，而各个步骤可以独立地加以控制，因此膜的质量、重复性、均匀性、厚度和化学计量可精确控制，同时能够获得更多的机理信息。 (7)室温沉积，使互扩散降至最小。同时避免了由于热膨胀系数的不同而产生的内应力，保证了膜的质量。 (8)每种溶液可以分别地进行配方的优化，使得支持电解质、pH值、添加剂或络合剂的选择能够最大程度地满足需要。 (9)反应物选择范围广，对反应物没有特殊要求，只要是含有该元素的可溶物都可以，且一般在较低浓度下就能够成功制备出超晶格。 ECALE技术由于在薄膜材料制备中有其独特的优势，已经引起国外很多材料制备专家的重视，然而国内这方面的研究还很少。目前，已有很多采用ECALE方法制备半导体薄膜及超晶格的报道，主要集中在II-VI族III-V 族、和V一Ⅵ族。 VCR接头 VCR接头是为要求高度纯净无垢环境的应用按照无渗漏而设计的。VCR产品设计在正压真空空间内提供全金属封装的无渗漏服务。 ? 由图可知，用Ga做溶剂，在低于GaAs熔点的温度下生长GaAs晶体。如Ga溶液组分为CL1，当温度T=TA时，它与GaAs衬底接触，此时A点处于液相区，故它将溶掉GaAs衬底(俗称吃片子)。 GaAs衬底被溶解后，溶液中As量增大，A点朝右移动至A’后，GaAs才停止溶解， 如组分为CL1的Ga溶液在温度TB时与GaAs接触，这时溶液为饱和态，GaAs将不溶解。降温后溶液变成过饱和，这时GaAs将析出并沉积在GaAs衬底上进行外延生长。 1237℃ 液相外延的方法 液相外延的方法有许多种，按衬底与溶液接触方式不同分为：舟倾斜法、浸渍法、旋转反应管法及滑动舟法等，其中滑动舟法最用。 滑动舟法可分为降温法(瞬态生长)和温差法(稳态生长) 。降温法 1) 先将Ga池与GaAs固体源接触，使之达到饱和 2) 将Ga池与衬底接触，以一定的速度降温至溶液过饱和 3) GaAs将在衬底上析出，达到所要求厚度 4) 将Ga池与衬底分开， 停止生长。 此法适于生长薄的单晶层。 降温法(瞬态生长)工艺 瞬态生长工艺应用比较广泛，按衬底片与源接触情况不同又分成平衡冷却、过冷、步冷和两相溶液冷却四种工艺。 平衡冷却 是在平衡温度T1时，溶液与衬底接触以恒定的冷却速率降温外延生长； 步冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，不再降温，在此过冷温度下进行生长 过冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，再以相同的速率降温生长； 两相溶液法 先将溶液过冷并自发成核，长在溶液上方平衡片上，然后将此溶液与衬底接触并继续降温生长。 温差法 1) 溶液与上方的GaAs源片接触，至达到平衡 2)降低炉子下部温度，在Ga池内建立一定的温度梯度(5～7℃／cm) 3) 推动舟，使Ga液与下面的衬底接触。 4) 由于Ga液上下温度不同，故它们对GaAs溶解度不同，于是高温处GaAs源片溶解，而低温处GaAs衬底上将生长GaAs，外延生长速率由Ga液中温度梯度决定 外延结束时，将Ga池推离衬底