新·电致发光显示器【ELD】-精.pptVIP

2009.8.5 发光层制备：常用丝网印制方法和喷涂法。前者与制作印制电路板的丝网印制方法相类似，是将发光粉与有机介质粘合剂按比例混合成膏状，用丝网印制制作发光层，制作时车间环境温度为30℃，相对湿度＜50％。喷涂法是将有机介质用喷枪均匀地喷涂到导电玻璃上，然后用毛刷将发光粉均匀致密地刷于介质层上。为了减少针孔一般喷刷两层，尽可能使发光粉层平整、均匀、无针孔。 TiO2反光耐压层的制作：与发光层制作方法相同，耐压层制作后120℃烤箱中烘烤4～6h进行固化处理。 金属铝膜使用真空蒸镀方法制作。 2009.8.5 2．有机胶片型分散交流ELD屏的制作 它适用于作为液晶显示屏(LCD)的背光源，其制作工艺流程如图6.18。 2009.8.5 发光层、绝缘层都用厚膜印制工艺，也可用丝网印制或刮屏的印制法进行涂膜。 背电极使用铝箔，可用低温磁控溅射法在绝缘层上制作铝电极。还可直接购买带有导电膜的聚脂胶片作为基板依次进行发光层、绝缘层、溅射背面电极铝、切片、塑料薄膜封装、老化、检验等工艺来制作ELD。 2009.8.5 三、分散直流型ELD的制作 与分散交流型ELD屏制作方法基本相类似。但需要进行“热成形”处理，才能获得良好的电致发光。 四、薄膜交流型ELD的制作 介绍x-y矩阵驱动薄膜交流型二重绝缘层结构ELD的制作工艺，制作工艺流程如图6.19。 可看出薄膜ELD的性能在某种意义上起重要作用的是成膜技术。 发光层膜、绝缘膜、透明电极膜、背电极铝膜共有四种薄膜，再加上材料在内有必要进行优化设计。 2009.8.5 薄膜交流型ELD的制作工艺流程图 2009.8.5 1．发光层的成膜技术 发光色是根据发光母体中混入少量的不同杂质所制作的发光中心决定。因此，发光层成膜技术和绝缘膜的质量直接关系到L、发光效率等。发光层是在高场(106V/cm)下发光的，所以其材料应具有良好的绝缘性和容易产生电子激励的特性。目前已有黄橙色、绿色发光、多色发光。 (1)黄橙色发光膜的成膜 是以ZnS荧光粉为母体，混入少量金属Mn杂质，混入比例为0.4％～0.5％wt。ZnS:Mn发光膜有物理方法和化学方法两种。 物理成膜方法：常用电子束蒸发和磁控溅射成膜方法。磁控溅射(RF)法制备发光层、绝缘膜、导电膜、背面电极金属铝。 2009.8.5 化学成膜方法: 外延生长(ALE (Atomic Layer Epitaxy)法和化学气相淀积法(MOCVD)，化学成膜致密性好，ALE法成膜的发光效率为81m/w，比电子束蒸发提高4倍多； ALE法是把玻璃基板放入外延炉腔后，当升至一定温度时，用ZnCl2蒸气和H2S蒸气交替通入在基板上生长ZnS膜。根据蒸气进入次数可控制生长的每一层原子膜的膜层厚度。这种方法要送气、排气反复操作，比较麻烦且费时间。但炉腔内一次可放置多块基板从而提高了生产效率。 MOCVD法在反应室内把基板加热到300℃，H2气携带有机介质与锌混合物与H2S气体在反应室中反应，在基板上形成ZnS膜。然后把TCM(有机介质与锰的混合液)用H2 气携带导入反应室进行加热分解直接制得ZnS:Mn发光膜。 2009.8.5 (2) 多色发光膜的成膜 ALE 和MOCVD法是理想的成膜方法。 电子束蒸发法制备多色发光膜是采用ZnS母体材料和稀土卤化物多元蒸发方法。用不同的稀土卤化物就可得到不同的发光色。 溅射方法来制作多色发光层时，采用母体材料添加TbF3制作为绿色发光膜。对于红色光是使用CaS:Eu，用多源电子束蒸发，基板温度550℃ L为430cd/m2。蓝色发光是使用SrS添加Ce、K，用电子束蒸发，基板温度500℃以下可得到1600cd/m2的亮度。 采用在ZnS：TbF3(绿色)和ZnS：SmF(红色)层之间，夹入一层中间电极的多层重叠结构。中间电极和透明电极、中间电极和背电极之间各自施加电压后，就可得到绿色和红色的自由混色光。已有矩阵驱动的多色ELD混合色显示屏，并可实现灰度显示。 2009.8.5 2．绝缘膜成膜技术 为保证充分发挥发光腔的功能，对绝缘膜的要求是： 膜质均匀、致密性好、无针孔、化学稳定性好。 由于发光膜成膜时基板温度为550℃高温，要求高温下绝缘膜不会产生剥离，且有良好的粘附性；应具有高的介电常数，耐高压等特性。 为适应材料的多样性，一般采用电子束蒸发方法和磁控溅射方法为主要的成膜方法。 为提高屏的性能，器件结构采用多层绝缘层的组合结构，如图6.20。 把结构图中上半部的SiNO+SiO2组合改换成SiNO+A12O3组合，绝缘层的耐压程度可提高40V左右。 为提高屏的可视性，在发光膜与上半部分绝缘膜之间制作一层黑色PrMnO3绝缘膜。 2009.8.5 3．透明电