CMOS模拟集成电路设计_ch2器件物理.pptVIP

* * * 器件关断时，CGD=CGS=CovW， CGB由氧化层电容和耗尽区电容串连得到 深三极管区时，VD?VS， 饱和区时， 在三极管区和饱和区，CGB通常可以被忽略。 在电路分析中我们关心器件各个端口的等效电容： 大信号和小信号模型 大信号模型 用于描述器件整体的电压-电流关系，通常为非线性 小信号模型 如果在静态工作点（偏置）上叠加变化的信号（交流信号），其幅度“足够小”，则可以用线性化的模型去近似描述器件，这种线性化模型就是小信号模型。 * 2.5 MOS小信号模型 * * 小信号参数： * MOS管的完整小信号模型 对于手算，模型不是越复杂越好。 能提供合适的精度即可 * MOS SPICE模型 模型精度决定电路仿真精度 最简单的模型——Level 1，0.5?m 适于手算 NMOS VS PMOS 在大多数工艺中，NMOS管性能比PMOS管好 迁移率4：1，高电流驱动能力，高跨导 相同尺寸和偏置电流时，NMOS管rO大，更接近理想电流源，能提供更高的电压增益 对Nwell 工艺，用PMOS管可消除体效应 独占一个阱，可以有不同的体电位 * NMOS管与PMOS管工艺参数的比较 * 长沟道器件和短沟道器件 前面的分析是针对长沟道器件（4?m以上）而言 对短沟道器件而言，关系式必须修正 用简单模型手算，建立直觉；用复杂模型仿真，得到精确结果。 * MOS管用作电容器时 * 并联 串联 * 思考： 注意不要混淆管子的宽W和长L 以及串并联关系！ W L * 倒比管 * 解释什么是小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信号跨导的三种表达形式 复习题： 2. 右图中MOSFET的过饱和电压是多少？管子处于什么工作区？ * 3. 如图所示，Vin随时间线性增加。在不考虑沟调效应，需考虑体效应的前提下，画出Vout随时间的曲线。  4. 下图是MOS管的电压电流曲线，图中L1和L2的大小关系是？ * * * * * * * * * * * * * * * * * * 模拟CMOS集成电路设计 第 2 章 MOS器件物理基础 2.1 基本概念 * 漏（D: drain）、 栅（G: gate）、 源（S: source）、衬底（B: bulk） G S D MOSFET：一个低功耗、高效率的开关 MOS符号 * 模拟电路中常用符号 数字电路中常用 MOSFET是一个四端器件 2.2 MOS的I/V特性 沟道的形成 * * 阈值电压VTH NMOS管的阈值电压通常定义为界面的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅极电压。 在基础分析中，假定VGS大于VTH时，器件会突然导通。 通常通过沟道注入法来改变阈值电压的大小。 * MOS器件的3个工作区 1. 截止区 cutoff VGSVTH * 2. 线性区 triode or linear region MOSFET 处于线性区 Derivation of I/V Characteristics * I/V Characteristics (cont.) * I/V Characteristics (cont.) * * 深三极管区 线性区的MOSFET等效为一个线性电阻（导通电阻Ron） * 3. 饱和区 active or saturation region 过驱动电压 Vov 有效电压Veff 过饱和电压 Vsat 一个重要的概念（VGS-VTH ） * 饱和区内，电流近似只与 W/L 和过饱和电压VGS-VTH 有关，不随源漏电压VDS变化 因此在VGS不变的条件下MOSFET可以等效为恒流源 跨导是小信号(AC)参数，用来表 征MOSFET将电压变化转换为电流 变化的能力。反映了器件的灵敏度 ——VGS对ID的控制能力。 * 引入重要的概念 跨导 gm transconductance 利用这个特点可以实现信号的放大 如果在栅极上加上信号，则 饱和区的MOSFET可以看作是 受VGS控制的电流源 * * 到此为止，我们已经学习了MOSFET的三种用途： 开关管 恒流源 放大管 分别处在什么工作区？ * 怎么判断MOSFET处在什么工作区？ 方法二： （源极电压不方便算出时） 比较栅极Vg和漏端Vd的电压高低 方法一： 比较源漏电压Vds和过饱和电压Vsat的高低 图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？ * 思考题 即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关 相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关 * * 2.3 二级效应 体效应 在前面的分析中，我们未加说明地假定衬底和源都是接地的（for NMOS）。