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6.2.2 动态RAM 1．动态RAM的基本存储电路 动态存储器和静态存储器不同，动态RAM的基本存储电路利用电容存储电荷的原理来保存信息，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，因而对动态RAM必须定时进行刷新，使泄漏的电荷得到补充。动态RAM的基本存储电路主要有六管、四管、三管和单管等几种形式，在这里我们介绍四管和单管动态RAM基本存储电路。 1) 四管动态RAM基本存储电路 图6.5所示的六管静态RAM基本存储电路依靠Vl和V2管来存储信息，电源VCC通过V3、V4管向V1、V2管补充电荷，所以Vl和V2管上存储的信息可以保持不变。实际上，由于MOS管的栅极电阻很高，泄漏电流很小，即使去掉V3、V4管和电源VCC，Vl和V2管栅极上的电荷也能维持一定的时间，于是可以由V1、V2、V5、V6构成四管动态RAM基本存储电路，如图6.8所示。 图6.8 四管动态RAM存储电路 * 第6章 半导体存储器 教学内容 本章在简要介绍半导体存储器的分类和基本存储元电路的基础上，重点介绍了常用的几种典型存储器芯片及其与CPU之间的连接与扩展问题，并简要介绍了目前广泛应用的 几种新型存储器。具体内容如下： 1、半导体存储器的分类 2、随机读写存储器 3、只读存储器 4、存储器与CPU的连接 5、新型存储器简介 学习要求 1、了解各种半导体存储器的特点及应用场合。 2、了解随机读写存储器和只读存储器的结构原理 及工作特点。 3、掌握存储器芯片的位扩展和字扩展方法。特别 应注意掌握存储器芯片与地址总线的连接问题。 第6章 半导体存储器 6.1 概述 6.2 随机读写存储器(RAM) 6.3 只读存储器(ROM) 6.4 存储器的扩展 6.5 几种新型存储器简介 6.1 概 述 6.1.1 存储器的分类 存储器是计算机用来存储信息的部件。按存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存储器和外存储器。把通过系统总线直接与CPU相连、具有一定容量、存取速度快的存储器称为内存储器，简称内存。内存是计算机的重要组成部分，CPU可直接对它进行访问，计算机要执行的程序和要处理的数据等都必须事先调入内存后方可被CPU读取并执行。把通过接口电路与系统相连、存储容量大而速度较慢的存储器称为外存储器，简称外存，如硬盘、软盘和光盘等。外存用来存放当前暂不被CPU处理的程序或数据，以及一些需要永久性保存的信息。 外存的容量很大，如CD–ROM光盘可达650?MB，硬盘则可达几GB甚至几十GB，而且容量还在不断增加。通常将外存归入计算机外部设备，外存中存放的信息必须调入内存后才能被CPU使用。 早期的内存使用磁芯。随着大规模集成电路的发展，半导体存储器集成度大大提高，成本迅速下降，存取速度大大加快，所以在微型计算机中，目前内存一般都使用半导体存储器。 6.1.2 半导体存储器的分类 从应用角度可将半导体存储器分为两大类：随机读写存储器RAM(Random Access Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。RAM是可读、可写的存储器，CPU可以对RAM的内容随机地读写访问，RAM中的信息断电后即丢失。ROM的内容只能随机读出而不能写入，断电后信息不会丢失，常用来存放不需要改变的信息(如某些系统程序)，信息一旦写入就固定不变了。 根据制造工艺的不同，随机读写存储器RAM主要有双极型和MOS型两类。双极型存储器具有存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点，适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器；MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点，适用于内存储器。 MOS型存储器按信息存放方式又可分为静态RAM(Static RAM，简称SRAM)和动态RAM(Dynamic RAM，简称DRAM)。SRAM存储电路以双稳态触发器为基础，状态稳定，只要不掉电，信息不会丢失。其优点是不需要刷新，控制电路简单，但集成度较低，适用于不需要大存储容量的计算机系统。DRAM存储单元以电容为基础，电路简单，集成度高，但也存在问题，即电容中的电荷由于漏电会逐渐丢失，因此DRAM需要定时刷新，它适用于大存储容量的计算机系统。 只读存储器ROM在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入存储器。目前常见的有：掩膜式ROM，用户不可对其编程，其内容已由厂家设定好，不能更改；可编程ROM(Programmable ROM，简称PROM)，用户只能对其进行一次编程，写入后不能更改