第二章VirtuosoEditing..docVIP

第二章． Virtuoso Editing的使用简介 全文将用一个贯穿始终的例子来说明如何绘制版图。这个例子绘制的是一个最简单的非门的版图。 § 2－1 建立版图文件 使用library manager。首先，建立一个新的库myLib，关于建立库的步骤，在前文介绍cdsSpice时已经说得很清楚了，就不再赘述。与前面有些不同的地方是：由于我们要建立的是一个版图文件，因此我们在technology file选项中必须选择compile a new tech file,或是attach to an exsiting tech file。这里由于我们要新建一个tech file，因此选择前者。这时会弹出load tech file的对话框，如图2-1-1所示。 图2-1-1 在ASCII Technology File中填入csmc1o0.tf即可。接着就可以建立名为inv的cell了。为了完备起见，读者可以先建立inv的schematic view和symbol view（具体步骤前面已经介绍，其中pmos长6u，宽为0.6u。nmos长为3u，宽为0.6u。model 仍然选择hj3p和hj3n）。然后建立其layout view，其步骤为：在tool中选择virtuoso－layout，然后点击ok。 § 2－2 绘制inverter掩膜版图的一些准备工作 首先，在library manager中打开inv这个cell的layout view。即打开了virtuoso editing窗 图2-2-1 virtuoso editing窗口 口，如图2-2-1所示。 版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Icon menu , menu banner , status banner. Icon menu (图标菜单)缺省时位于版图图框的左边，列出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代表的指令，只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上，图标下方即会显示出相应的指令。 menu banner（菜单栏）,包含了编辑版图所需要的各项指令，并按相应的类别分组。几个常用的指令及相应的快捷键列举如下： Zoom In -------放大 (z) Zoom out by 2------- 缩小2倍(Z) Save ------- 保存编辑(f2) Delete ------- 删除编辑(Del) Undo ------- 取消编辑(u) Redo -------恢复编辑 (U) Move ------- 移动(m) Stretch ------- 伸缩(s) Rectangle -------编辑矩形图形(r) Polygon ------- 编辑多边形图形(P) Path ------- 编辑布线路径(p) Copy -------复制编辑 (c) status banner（状态显示栏），位于menu banner的上方，显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。 在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口（Layer and Selection Window LSW）。 LSW视图的功能： 可选择所编辑图形所在的层； 可选择哪些层可供编辑； 可选择哪些层可以看到。 由于我们所需的部分版图层次在初始LSW中并不存在，因此下一步要做的是：建立我们自己的工艺库所需的版图层次及其显示属性。为了简单起见，以下仅列出绘制我们这个版图所需的最少版图层次。 层次名称 说明 Nwell N阱 Active 有源区 Pselect P型注入掩膜 Nselect N型注入掩膜 Contact 引线孔，连接金属与多晶硅/有源区 Metal1 第一层金属，用于水平布线，如电源和地 Via 通孔，连接metal1和metal2 Metal2 第二层金属，用于垂直布线，如信号源的I/O口 Text 标签 Poly 多晶硅，做mos的栅 下图是修改后的LSW。 图2-2-2 LSW 如何来修改LSW中的层次呢？以下就是步骤： 切换至CIW窗口，在technology file的下拉菜单中选择最后一项edit layers出现如图窗口 图2-2-3 edit layers 在technology library中选择库mylib，先使用delete 功能去除不需要的层次。然后点击add添加必需的层次，add打开如下图的窗口