电子显微镜用之电子枪种类可概分为那几种.docVIP

基礎篇 1、電子顯微鏡使用之電子槍種類可概分為那幾種？在應用上的特徵及優缺點分別為何？（6%） 鎢絲：亮度最小，價格便宜，電子能量散佈為3eV，解析度較差 LaB6燈絲：亮度比鎢絲佳，價格中等，電子能量散佈為1.5eV，解析度中等 場發射式電子槍：亮度最佳，價格較高，電子能量散佈為0.3eV，解析度最好 2、試比較光學顯微鏡、X光繞射分析儀及電子顯微鏡之功能特性差異。（6%） 光學顯微鏡：使用可見光、鑑別率約為2000A、可觀察表面微細結構。 X光繞射分析儀：使用X光、鑑別率約為1?m、可分析晶體結構及化學成分分析。 電子顯微鏡：使用電子束、鑑別率約為1.8A、可觀察微細結構、分析晶體結構及作化學成分分析 3、X光能量散佈分析儀中常觀測到某一元素的Ka射線、Lb射線，請說明何謂Ka射線？何謂Lb射線？（4%） Ka射線：L層軌域電子躍遷至K層軌域時，所釋放出來的特性X光稱為Ka射線 Lb射線：N層軌域電子躍遷至L層軌域時，所釋放出來的特性X光稱為Lb射線 4、在材料分析相關的各種分析儀器中，哪些可歸類為破壞性分析？（3%，答錯需倒扣） TEM、FIB及SIMS 5、試說明穿透式電子顯微鏡的基本構造。（6%） （1）照明系統：含電子槍及聚焦透鏡系統 （2）電子透鏡系統：包括物鏡、中間鏡及投影鏡系統 （3）試片室 （4）影像觀察偵測系統 6、影響電子顯微鏡像能的像差種類為何？試說明其成因以及如何改善解像能之作法。（10%） 繞射像差：降低電子束波長或提高透鏡品質（半張角）可降低繞射像差 球面像差：降低電子束直徑或降低電子束半張角可降低球面像差 散光像差：因透鏡磁場佈均勻所致，可利用像差調節器修正散光像差 波長散佈像差：因高壓系統或透鏡電流不穩定所致，可提高加速電壓並使用FEG電子槍降低此像差 7、能量散佈分析儀（EDS）與波長散佈分析儀（WDS）在結構上與分析功能上有何差異？（6%） EDS：設備簡單操作容易、快速可一次偵測所有元素、定量分析準確度較差、對輕元素的靈敏度較差 WDS：設備複雜操作不當易產生額外的誤差、一次只能偵測一種元素、分析速度慢、定量分析準確度較佳、對輕元素的分析比較靈敏 8、電子顯微鏡使用之電子槍種類可概分為那幾種？在應用上的特徵及優缺點分別為何？（6%） 鎢絲：亮度最小，價格便宜，電子能量散佈為3eV，解析度較差 LaB6燈絲：亮度比鎢絲佳，價格中等，電子能量散佈為1.5eV，解析度中等 場發射式電子槍：亮度最佳，價格較高，電子能量散佈為0.3eV，解析度最好 9、影響電子顯微鏡像能的像差種類為何？試說明其成因以及如何改善解像能之作法。（10%） 繞射像差：降低電子束波長或提高透鏡品質（半張角）可降低繞射像差 球面像差：降低電子束直徑或降低電子束半張角可降低球面像差 散光像差：因透鏡磁場佈均勻所致，可利用像差調節器修正散光像差 波長散佈像差：因高壓系統或透鏡電流不穩定所致，可提高加速電壓並使用FEG電子槍降低此像差 一、簡答題： 1. 材料表面有一顆小於0.5μm的物質，利用Auger或特性X光來分析顆粒的成分，那一種技術較為準確？試說明其原因。（需說明原因才給分4%） 使用Auger來分析顆粒成分，因為Auger電子訊號來至試片表面50A，而特性X光來自反應體積全部，其訊號大多不是該顆粒的成分訊號 2. TEM分析技術中，何謂明視野影像？何謂暗視野影像？兩者分別應用於那些材料分析技術？（4%） 明視野影像：利用物鏡孔徑只讓『直射電子束』通過放大成像，用於一般影像觀察 暗視野影像：利用物鏡孔徑只讓其中一道『繞射電子束』通過放大成像，用於缺陷、差排及析出物之觀察 3.掃描式電子顯微鏡觀察材料之表面形貌時，其主要成像信號有那兩種？（2%） 二次電子及背向散射電子（反射電子） 4.X光能量散佈分析儀中常觀測到某一元素的Ka射線、Lb射線，請說明何謂Ka射線？何謂Lb射線？（4%） Ka射線：L層軌域電子躍遷至K層軌域時，所釋放出來的特性X光稱為Ka射線 Lb射線：N層軌域電子躍遷至L層軌域時，所釋放出來的特性X光稱為Lb射線 5. Auger電子能譜中若有KLL躍遷，試問KLL Auger電子係代表意義為何？（2%） 原子K層軌域產生空位，外層L層電子躍遷補進K層軌域，激發另一個L層軌域電子脫離原子核，此電子稱為KLL歐傑電子 6.利用SEM觀察試片表面時，為何增加加速電壓反而無法觀察到試片表面特徵？（4%） 加速電壓??電子穿透力??擴散力（反應體積）??產生多餘訊號（如BSE）? ?降低影像對比?可能掩蓋表面微細結構 7. 聚焦式離子術顯微鏡使用Ga當離子源，是因為鎵元素具有哪些優點？（3%） 低熔點、低蒸氣壓及良好抗氧化能力 8. 在X光