光电技术_08图像信息的光电变换学案.ppt

第8章 图像信息的光电变换 2. 图像传感器的分类 工作过程 扫描型： 电子束扫描或自扫描方式将二维光学图像转换成一维时序信号（视频信号）输出 （1） 信号放大和同步控制，通过显示设备还原成二维光学图像； （2）A/D转换器输出具有某种规范的数字图像信号，经数字传输，显示设备还原成二维光学图像。 8.2 光电成像原理与电视制式 8.2.1 光电成像原理 1.摄像机的基本原理 2. 图像的分割与扫描 8.2.2 电视制式 1. PAL彩色电视制式 2. 扫描方式 8.4 电荷耦合器件 8.4.1 线阵CCD图像传感器 1.电荷存储 2. 电荷耦合 3. CCD的电极结构 1.三相单层铝电极结构 2. 三相电阻海结构 3. 三相交叠硅栅结构 5. 阶梯状氧化物结构 6. 四相CCD 7. 体沟道CCD 4. 电荷的注入和检测 （1）光注入 （2 ） 电注入 (1) 电流注入法 (2) 电压注入法 （3）电荷的检测(输出方式) 5. CCD的特性参数 （1） 电荷转移效率η和电荷转移损失率ε （2） 驱动频率 ①　驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为τi 则 ②　驱动频率的上限 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg 则 6. 线型CCD摄像器件的两种基本形式 (1)单沟道线阵CCD (2) 双沟道线阵CCD 8.4.2 面阵CCD图像传感器 (2) 隔列转移型面阵CCD (3)线转移型面阵CCD 8.5.1 CMOS成像器件的结构原理 2. CMOS成像器件的像敏单元结构 8.5.2 典型CMOS图像传感器 （1） 成像器件的原理结构 （2） 输出放大器 （3）A/D转换器 8.6 热成像器件 1. 点扫描式热释电热像仪 2. 热释电摄像管的基本结构 3. 典型热像仪 （1）IR220红外热像仪 （2）IR210高清晰度夜间红外监视探测仪 电荷转移效率为 电荷转移损失率为 电荷转移效率与损失率的关系为 图8-27为双沟道线阵CCD摄像器件。它具有两列CCD模拟移位寄存器A与B，分列在像敏阵列的两边。 (1) 帧转移面阵CCD 由成像区(像敏区)、暂存区和水平读出寄存器等三部分构成。 1. CMOS成像器件的组成 它的主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的。像敏单元阵列实际上是光电二极管阵列，它也有线阵和面阵之分。 8.5 CMOS图像传感器 图像信号的输出过程可由（如图8-32所示）图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 两种类型：被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。 主动式像敏单元结构：场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位；而当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 复位脉冲首先来到，V1导通，光电二极管复位；复位脉冲消失后，光电二极管进行积分； SXGA型CMOS成像器件是CMOS图像传感器的主要部分，其原理结构如图8-37所示。 SXGA型CMOS成像器件像敏区的结构如图8-38所示 。 该器件的像敏单元总数是1 286×1 030个，其中在每行和每列的起始端及末尾端各有3个像元为虚设单元。 SXGA型CMOS成像器件的光谱特性如图8-39所示。 SXGA型CMOS成像器件的输出特性如图8-40所示。曲线的线性段的动态范围仅为66dB。若采用对数放大器，动态范围可达到100dB。 图8-41所示为SXGA型CMOS成像器件输出放大器电路原理框图，它主要由三部分组成 。 当需要慢速读出图像信号时，需要采用慢速调节偏压的方法。为防止偏压漂移，每行都要进行偏压调节。调节过程如图8-45所示，它与图8-44的主要区别在于调节过程的时间较长。 利用物体发出的红外热辐射形成的可见图像的方法称为热成像技术。热成像的方法有很多，例如红外夜视仪是一种典型的热成像仪器，而且应用非常广泛。以下主要讨论辐射波长更长，且对波长响应无选择性的热像仪——热释电热像仪。 点扫描方式热释电热像仪为采用点扫描方式成像的图像传感器。它的扫描方式常采用震镜对被测景物进行扫描的方式。 wp-95型红外热像仪采用碲镉汞（HgC