第2章_半导体二极管及其基本电路修订稿解析.ppt

2.1.1 本征半导体 1.本征半导体中的共价键结构 运载电荷的粒子称为载流子。半导体中有两种载流子： 自由电子和空穴。 2.2 PN结 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.3 PN结的伏安特性 2.2.4 PN结的反向击穿 2.2.5 PN结的电容效应 2.3 半导体二极管 2.3.1 二极管的常见结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的主要参数 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.2 二极管的伏安特性 1.正向特性（右图第①段） 门坎电压（开启电压或死区电压）： 硅二极管Vth=0.5V; 锗二极管Vth=0.1V 正向导通电压： 硅二极管VD=0.7V； 锗二极管VD=0.2V 2. 反向特性（右图第②段） 反向饱和电流IS 3. 反向击穿特性（右图第③段） 反向电压增加到一定值VBR时，反 向电流剧增，二极管反向击穿。 2.3.3 二极管的主要参数 1．直流参数 最大整流电流IF 最高反向工作电压VRM 反向电流IR 直流电阻RD 正向电压降VF 2.3.3 二极管的主要参数 2．交流参数 (1) 交流电阻rd rd是指在Q点附近电压变化量△VD与电流变化量△ID之 比，即 (2) 极间电容Cd Cd=CD+CB (3) 最高工作频率fM 2.4 二极管基本电路的分析方法 2.4.1 二极管电路的图解分析法 2.4.2 二极管电路的简化模型分析法 2.4.1 二极管电路的图解分析法 （3）钳位电路 其作用是使整个信号电压进行直流平移。 图（a）为一种简单的二极管钳位电路。若输入电压vi=Vmsinωt，波形如图(b)。将二极管视为为理想二极管，电容初始电压为零，试画出电容C两端电压vC波形和输出电压vO的波形。 （5）开关电路 例2.4.5 二极管开关电路如图（a）所示。利用二极管理想模型，求：当viA、viB、viC分别为0V或5V时，viA、viB、viC的值不同组合情况下，输出电压vO的值。 2.6.3 光电二极管 光电二极管利用PN结的光敏特性，将接收到的光的变化转换成电流的变化，是把光信号转换成电信号的光电传感器。管壳上的玻璃窗口用来接受外部的光照。 ● 发光二极管在反向电压下受到光照而产生的电流称为光电流。 ● 光的强度越大，反向电流也就越大，特性曲线下移，呈线性关系，是一组与横坐标轴平行的曲线。 ● 光照强度一定时，光电二极管可等效成恒流源，能够把光信号转换成电信号，成为光电传感器，广泛应用于遥控、报警及光电传感器中。 图解分析法比较简单，但是必须已知二极管的V -I 特性曲线。 例2.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 交点Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 1. 二极管的简化模型 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 2.4.2 二极管电路的简化模型分析法 图2.4.3 二极管的理想模型 （2）恒压降模型 （3）折线模型 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） （4）小信号模型 （4）小信号模型 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 2．二极管基本电路分析示例 （1）整流电路 利用二极管的单向导电性，将正、负交替变 的交流电变换成单向脉动的直流电，这一过程称为整流。 常见的整流电路有单相半波、全波、桥式和倍压整流电路。在整流电路中，输入交流电压的峰值一般比二极管的导通电压大得多，二极管常常可以看做是理想二极管。 例2.4.2