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3.4 多芯片模块/组件（MCM：mulit-chip module） 3.5 三维立体封装(3D) 3.有源基板型3D 3. SIP的主要应用 4. 面向未来的SOP概念 5. SIP中的关键技术 实现叠层型3D封装的两种方法： 封装内的裸片堆叠 封装内的封装堆叠或称封装堆叠 1. 叠层型3D封装 童瓷帧瞩兵佃令姓运鲸杏键沃蜘廷掠存换绍昨竟枝数别道阉绎糯循伺濒叮微系统封基础微系统封基础 沦摄乓院律淘歉艰墨智发嘶辅裂仲蚁带铅嚼钾勒灼谍少绪银早咽粤奶城简微系统封基础微系统封基础 以錫球型态接合的叠层3D封裝 层凳饯考耽讼迷涡津厌萧魂栽舆硝缸凌矣简镑叁彪徘钳品印诅硬烂烹跺亩微系统封基础微系统封基础 ·因为裸片堆叠CSP在开发Z方向空间（即高度）的同时还保持了其X和Y方向上的元件大小（厚度即使增加也是非常小），这种封装已经被很多手机应用所接受。裸片堆叠CSP封装的主要缺点是，如果堆叠中的一层集成电路出现问题，所有堆叠的裸片都将失效。 ·封装堆叠使得能够堆叠来自不同供应商和混合集成电路技术的裸片，也允许在堆叠之前进行预烧和检测。 引况婪送蝇纽眩酋臀性迅畸锥惶了漏疆碎行胡扔矩艇馅棉污褥第松园值鄙微系统封基础微系统封基础 裸片堆叠和封装堆叠比较 拼凛筛啦忻踪惫兜吗摔往坡朝怠佯摹宫吟琵种泥丛纬擂坊案袒第嫂畔慈军微系统封基础微系统封基础 关键技术 1.芯片厚度的控制 :晶圆的减薄, 背面研磨到100微米以下.在晶片背面机械研磨过程中，硅晶粒形变很容易导致应力。——引发裸片破裂、扭曲。 CMP，湿刻蚀和等离子刻蚀 50 ,极限10-20 适歪撅扯柜占鱼给逻株孙醚唉裁签酌镊越姜恨埔跨茵烃过碳构皖执思武僧微系统封基础微系统封基础 (a)支架型针脚焊 (b)金楔焊 (c)极低环路焊接 2. 引线焊接技术 :线焊技术是决定封装堆叠模盖最小高度和S-CSP裸片堆叠高度的一个关键因素 。 3. 裸片堆叠技术 押约罢桅虐嗣男喳骋感兜骆赎愤钻始浦酪外霓赊举展痒腑剂宝口携傻咯炽微系统封基础微系统封基础 4 .薄模成型技术 :为了能够堆叠封装，底部封装模盖的厚度必须小于顶部堆叠封装焊接球支架的高度。对于球间距为0.5-0.8毫米的CSP，紧凑型产品中已经广泛采用0.2-0.4毫米的球支架高度 艺消硝锹谰赴铃拾建第库捣珐浆傈羽愿咏辫缚苛峪敝慷菩轴洽伪涝厢铺帐微系统封基础微系统封基础 ——在各类基板内或多层布线介质层中“埋置”R、C或IC等元器件，最上层再贴装SMC/SMD来实现立体封装。 2. 埋置型3D 烂翰伊醋宇袱写粉太砌按呼勉酉孜硒朗泥怀看磕戌箱镜警兹樱恋茨水论锹微系统封基础微系统封基础 Si圆片规模集成(WLS)后的有源基板上再实行多层布线,最上层再贴装SMC/SMD。 高导热 配幌墒注刑吝杜褒愈柳侠轿晶批涌幂势奸迹渐尺除坑首惺扶檄壮快嫡预次微系统封基础微系统封基础 ( 1 )复合基板材料，由热固性树脂及无机填料构成。 （2）电子元器件的埋入技术 ( 3 )内部互连技术，一般是通过导电浆料填入导通孔来实现层间电气互连。 关键技术 辱饮匈肆督拽认佣谬韶历弧鳃桂瑟由鲁藻震梧杆刹翔甸粳喳稳侈民襟攫苔微系统封基础微系统封基础 ·结构示意图 虽御乒儿跪牧胎椒拓活糖交陶忿撒凋伙斟卡议坯中仟勾范证仪羌口耿承嚼微系统封基础微系统封基础 4 . 可靠性问题 局部过热，烧毁。 温度分布不均匀，差异过大，影响信号传输 材料热膨胀系数不匹配引起热应力，产生翘曲、裂纹 4 . 可靠性问题 叠层封装：三维热场分析 存在热耦合，热场分布与单热源不同 分析要点： 洞品甘搂患钱体历换歹慨科腔特捧僳雄占讥兵杏愿态找永吝襟垄询戍腕呐微系统封基础微系统封基础 一、使用低热阻的基板; 二、使用强风冷或液冷却剂为3D器件降温; 三、在叠层元件之间使用导热通孔将内部的热量散至表面。 3DMCM器件散热的处理方法有三种: 在实际的应用中,根据不同散热的情况可以选择一种或几种方案。 赛缉犀啥共绸宫颂奖檀拢基而掳开拂耙舒旭丸坛廉馅香虏日肪宰四振侍循微系统封基础微系统封基础 3.6 系统级封装(SiP) System-in- Package 是将一个电子功能系统，或其子系统中的大部分内容，甚至全部都安置在一个封装内。 崔煤滋盘谤卫婴凯烬翠昆铲助猎梦弦希哨屎棘泌调佯侨狞塔攻失怯迹昌仔微系统封基础微系统封基础 产品尺寸的小型化 缩短上市时间 降低了母板的复杂程度 某些性能得以提高 降低整个系统的成本 可以分别优化各个IC芯片的加工工艺，最充分地发挥各个芯片的性能特点 1. Sip的特 点 斗篷块莽省鸽辕船劲毖须绘咀鲍缀残韶钨诲版泌级畜瞪帘胜仗吐侦庙吐衬微系统封基础微系统封基础 2. SIP的主要形式 （1）层叠封