第1章二管答案.docVIP

第一章答案 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度=cm。 （1）求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P型或N型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度=cm，重复（1）。 （3）若==cm,，重复（1）。 （4）若=cm，=cm，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值= cm，施主杂质=cm = cm，所以可得多子自由浓度为 =cm 少子空穴浓度 ==cm 该半导体为N型。 （2）因为=cm，所以多子空穴浓度 cm 少子电子浓度 ==cm 该半导体为P型。 （3）因为=,所以 = = =cm 该半导体为本征半导体。 （4）因为=1010=9910（cm），所以，多子自由电子浓度 = cm 空穴浓度 ===2.2710（cm） 该导体为N型。 当T=300K时，锗和硅二极管的反向饱和电流分别为A和0.5pA。如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问他们的结电压各为多少？ 解：T=300K时，热电压 =26mV 二极管正偏时，I=exp 对于硅管：=ln=556.4mV 对于锗管：=ln=179.6mV 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。